立式HVPE生长三英寸GaN三维模拟研究
【学位授予单位】:天津工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN304
【图文】:
图1-丨纤锌矿(Wurtzite)、闪锌矿(Zinc-blende)和岩盐矿(Rock-salt)型晶体结逡逑构示意图[|3]逡逑氮化镓的晶体结构有三种,如图1-1所示:六方相的纤锌矿(Wurtzite)结逡逑构、立方相的闪锌矿(Zinc-blende邋)结构和立方相的岩盐矿(Rock-salt)结逡逑构。在共价结合中离子键成分占比越高,纤锌矿结构的稳定性越好。GaN具有逡逑较高的离子性,因此闪锌矿型GaN属于亚稳态形式。岩盐矿型结构属于高温逡逑相,据相关文献记载,岩盐矿型结构存在于55.3GPa左右的压力下,且随着压逡逑力的减小能够促使其向更加稳定的纤锌矿结构转化[13、14]。逡逑在常温常压下,GaN以对称的六方纤锌矿结构存在。每个原胞由四个原子逡逑组成,每个原子体积大约为GaAs原子体积的二分之一。当外界环境发生改变逡逑时,GaN从六方相的纤锌矿结构转变为闪锌矿结构,这种闪锌矿的结构同样也逡逑是对称的。这两种结构的原子层堆积次序不同决定了邋GaN的六方相纤锌矿结构逡逑与闪锌矿结构在电学特性方面的差异。逡逑4逡逑
天津工业大学硕士学位论文功研制出了具有高响应特性的AlGa合金。当x分.61时,其带隙波长出现了不同的结果,分别对应,邋50nm。在最近的研宄过程中,对GaN基紫外光。研究人员发现GaN材料的截止波长为369nm,已。利用这一特点GaN基光探测器可以将更大截止波大大降低了对滤波器的要求,可以更高效精准的在紫目前APA光学公司于1998年推出了第一批GaN光该公司陆续的研发出一批具有高性能且可以长时间品。逡逑
单位/mm逡逑图4-1立式HVPE系统平面模型逡逑4.邋6本章小结逡逑本章主要介绍了邋HVPE的系统原理、模拟采用的统御方程等。并在此基础逡逑上对软件模拟过程中的-?般性假设做出了设定,设计了生长3英寸GaN的腔体逡逑结构。逡逑
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