硅基光器件设计技术研究
【学位授予单位】:北京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN36
【图文】:
逡逑图1.邋1犹他大学研究组基于逆设计的偏振分束器。(a)器件结构及主要结构参数;(b)邋TE模光场;逡逑(c)邋TM模光场。逡逑最终使用这样的方式设计得到的偏振分束器耗时大约为140小时。其中从优化算逡逑法方面来讲,研究组使用的DBS算法本质上是一种暴力搜索方法,即需要遍历设计区逡逑域的所有点,并且重复迭代多次这个过程已达到消除扰动的随机性,这就大大增加了逡逑计算次数。另外在每一次更改像素状态时都需要重新计算电磁场,在计算电磁场时,逡逑该研究组使用的是时域有限差分算法(finite-difference邋time-domain,FDTD)。该算法对逡逑微分方程的收敛性有较高的要求,除此之外,在进行网格差分时,时域网格与空间网逡逑格之间的关系往往导致仿真结果存在额外引入的数值色散。并且FDTD在时域进行迭逡逑代运算的方式决定了其无法在计算上实现真正意义上的并行计算,只能凭借多台计算逡逑机组成集群或者多核计算机进行并行计算,需要消耗额外计算机资源,并且计算速度逡逑缓慢。除此之外
第二种逆设计方式是由斯坦福大学的纳米光子学研究组提出[19],该组利用逆设逡逑计的方法得到了邋1300/1500nm的解波分复用器(wave邋demultiplexer),其基于SOI制作逡逑的器件扫描电镜图如图1.邋2所示。逡逑__■■彳邋i逡逑图1.2逦(a)器件扫描电镜图;(b)器件仿真的光场分布。逡逑器件整体的耦合区域为2.8umx2.8um的正方形,整体器件的刻蚀深度为220nm,逡逑4逡逑
在光波长1530-1560nm范围内,分光性能较好,总透射率皆大于80%。北京邮电大学逡逑研究组借鉴斯坦福大学的逆设计方首次在绝缘体硅工艺上实现了邋T形结的功能[24],逡逑如图1.3所示,其中器件仿真空间格点尺寸为20nm,格点数目为200x200x80。器件逡逑实现了在光源波长为1550nm处两个输出端口的归一化功率比为50.4%:49.6%,插入损逡逑耗为邋0.56dB。逡逑9邋?懤逡逑图1.3邋T型波导SEM图(a)T型波导的器件结构(b)电场强度分布及输出模场逡逑1.3逆设计中高性能计算逡逑硅基光器件逆设计的发展与近年来高性能算力的发展有着紧密的联系,高性能计逡逑算特别是基于GPU的并行计算的普及为大数据量的计算提供了丰沃的土壤。当前高性逡逑能计算在科学研究、工程技术、以及军事技术方面取得了巨大的成就,其中异构计算逡逑模式效能优势明显,尤其是“主处理器+协处理器”的异构计算形式已经成为高性能逡逑计算的发展趋势。主流的协处理器包括FPGA(Field-Programmable邋Gate邋Array)[25],逡逑GPU(Graphics邋Processing邋Unit),APU(Accelerated邋Processing邋Unit)[26]等,这些新型的协逡逑处理器为大规模的科学计算与工程模拟计算提供了巨大的便利。其中GPU近些年来得逡逑到了越来越多的研究发展,其并行计算能力己经成为当前计算科学与应用技术的研究逡逑热点。逡逑在硅基光器件逆设计中
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