基于DMD扫描光刻系统的光刻图形边缘平滑度优化研究
【学位授予单位】:东北师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN305.7
【图文】:
3子束光刻技术进行介绍如下:线宽已达到 20nm 量级,当前刻蚀线宽也提高到 10nm是 0.02nm~0.05nm,所以光刻中的衍射现象很小,因此光刻技术具有避免使用昂贵掩膜版、提高光刻分辨率、电子设备却很昂贵,单点串行的过程导致工作效率不应用受到限制,目前电子束光刻技术仅在科学研究以技术在市场上开始应用。离子束来源于液态金属,通,进行高精度直写。离子束光刻技术可以采用有掩膜版版时的工作实质与电子束光刻基本相同,只是粒子束
光刻技术相较于粒子束光刻、干涉光刻、波带片光刻的区别是以数字空生成电子掩膜版,数字光刻系统简图如图 1.4 所示。光刻过程中,利用设计出图形,通过传输系统调制空间光调制器工作状态,进而调控空间束的空间位置,形成虚拟掩膜图形,数字智能控制掩膜图形,最终生成动态掩膜图形经过投影成像系统,成像在光刻基片上,生产出工艺器件代末,SLM 及其相关技术由瑞典公司提出,接下来 ASML 荷兰有限公司生产无掩膜光刻机。数字光刻技术是信息化、数字化与传统光刻技术字光刻空间光调制器分三种:液晶(LCDD)、等离子体(PDP)和数MD)[44]。本文主要研究基于 DMD 的无掩膜扫描光刻图形质量。电子掩膜版
D 无掩膜光刻技术的研究现状基于 DMD 的无掩膜扫描光刻技术能够制备阵列结构的器件,结构等,图 1.5 为 DMD 光刻器件图。DMD 光刻技术制备的器件光刻技术制备的器件结构,其质量、精度较高,该技术为微光机术需求,同时该技术制备微型元件的成本、效率、质量、尺寸等8]。(a)电子芯片 (b)3D 手模
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