半导体材料的锁相载流子辐射成像
【学位单位】:电子科技大学
【学位级别】:博士
【学位年份】:2015
【中图分类】:TN304
【部分图文】:
图1-1邋Semibb邋公司^-PCD载流子寿命成像仪1"1逡逑(a)WT-2000产品照片;(b)桂片的等效载流子寿命图像逡逑目前来看,H-PCD技术主要存在W下几点不足之处:逡逑第一,就检测原理而言,^i-PCD实际上是基于传统的累浦检测模式逡逑(pump-probe),即用光激发载流子,然后用微波来测量电导率的变化,这意味着逡逑n,量系统需要两套"光路"。而近年来新兴的技术,如后面将要介绍的光热箱射法、逡逑光致发光法、光载流子福射法等,在保留了全光、非接触等优点外,省去了检测逡逑光路,只需要一束累浦光即可。因此,只要徏些新兴技术在测量精度上可W和M-PCD逡逑比拟,那么就系统简洁度、成本而言,新兴技术完全可W取代M-PCD。逡逑第二,只能得到等效载流子寿命图。受测量原理的限制,^i-PCD只能测量样逡逑品内总的载流子密度随着时间变化的衰减速率,这正是等效载流子寿命的定义。逡逑H-PCD测量的信号是四个载流子输运参数(体寿命、扩散系数、前后表面复合速逡逑率)综合作用的结果,但无法进一步分辨这四个参数。因此,M-PCD成像无法区逡逑分载流子的表面复合和体复合。需要指出的是,接触式、非成像的PCD技术可逡逑
相机的一大主流应用。但是,受InGaAs相机的巾贞率和曝光时间的限制,PL成像逡逑技术无法像单点探测那样对高速信号进行时间分辨的记录。因此,目前基于相机逡逑的PL成像一般是工作在准稳态模式或是低频正弦调制的动态模式下。图1-8所示逡逑为多晶娃片的准稳态PL成像示意图,图1-9所示为低频正弦调制的PL成像。逡逑准稳态PL成像采用低频方波调制的激励光。在一个调制周期内,一般记录四逡逑幅图像。利用等时域的等效载流子寿命理论模型,拟合出每一个像素的等效载流逡逑子寿命。低频正弦调制的动态化成像原理同准稳态类似,其最大的优点在于不需逡逑要校准即可得到载流子寿命图。逡逑比起LIT技术,PL技术的优势是,其测量到的信号主要是来源于载流子福射逡逑复合。非福射复合W及晶格去激励热福射等信号被InGaAs探测器的响应频段自然逡逑滤除。送样PL成像体现的是纯粹的载流子行为IW。此外,近红外相机不需要制冷,逡逑对测量环境的要求不像中波相机那么苛刻,且近红外相机的倾率目前己经可W达逡逑到数百赫兹。氋速的拍摄性能使得研究载流子的动态物理行为成为可能。逡逑9逡逑
。台上,方便定位。由Matlab程序控制仪器读取数据W及实现频率扫描。逡逑基于相机的LIC实验系统逡逑于相机的LIC实验系统是单点PCR系统的成像改进,实验系统框图如下所逡逑
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 ;日益丰富的半导体材料[J];中国电子商情;2002年09期
2 ;日益丰富的半导体材料[J];电子工业专用设备;2002年03期
3 ;半导体材料[J];电子科技文摘;2002年07期
4 ;半导体材料[J];电子科技文摘;2002年08期
5 ;半导体材料[J];电子科技文摘;2002年02期
6 朱金贵;2002年上海市半导体材料年度学术讨论会日前举行[J];上海有色金属;2003年01期
7 管丕恺;张臣;;半导体材料现状与发展[J];中国集成电路;2003年03期
8 ;上海市半导体材料2003年学术年会日前召开[J];上海有色金属;2004年01期
9 ;《半导体材料》[J];稀有金属;2004年03期
10 ;飞利浦开发出新型半导体材料[J];中国集成电路;2005年04期
相关会议论文 前10条
1 华庆恒;汝琼娜;;半导体材料测量技术的新进展[A];中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会论文集[C];1999年
2 孟青;王成亮;江浪;李洪祥;胡文平;;高性能有机场效应晶体管半导体材料的设计、合成及性能研究[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
3 屠海令;;半导体材料工艺技术研究进展[A];中国有色金属学会第三届学术会议论文集——战略研究综述部分[C];1997年
4 常晓天;徐欣;王阳;郭煜;;金属、非金属、半导体材料对细胞生长的影响[A];中国细胞生物学学会第五次会议论文摘要汇编[C];1992年
5 屠海令;;纳米集成电路用半导体材料的科学与技术问题[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
6 顾冰芳;徐国跃;任菁;蔡刚;罗艳;;半导体材料的红外吸收及低发射率方法研究[A];2006年全国功能材料学术年会专辑(Ⅲ)[C];2006年
7 叶谦;周峰;;CdS-TiO_2复合半导体材料的制备[A];甘肃省化学会二十六届年会暨第八届中学化学教学经验交流会论文集[C];2009年
8 徐军;徐科;陈莉;张会珍;;高性能阴极荧光分析系统及其在氮化物半导体材料中的应用[A];2005年全国电子显微学会议论文集[C];2005年
9 ;第9章 微电子半导体材料与器件[A];中国新材料产业发展报告(2010)[C];2011年
10 李光平;何秀坤;王琴;李晓波;阎平;汝琼娜;郑驹;;近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用[A];中国电子学会生产技术学会理化分析四届年会论文集下册[C];1991年
相关重要报纸文章 前10条
1 田玉华 记者 刘领;省信息产业厅领导专题调研我市半导体材料产业基地[N];锦州日报;2006年
2 梁红兵;新工艺面临技术挑战半导体材料时代来临[N];中国电子报;2008年
3 ;半导体材料:追逐时代浪潮[N];河北日报;2002年
4 肖化;全球半导体材料市场仍将强劲增长[N];中国化工报;2008年
5 ;新政策对半导体材料业有积极作用[N];中国电子报;2009年
6 冯健;模式创新更加重要[N];中国电子报;2010年
7 本报记者 许金波;东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司成立[N];乐山日报;2011年
8 杨春;去年半导体材料市场达420亿美元 中国增长排首位[N];电子资讯时报;2008年
9 中国电子材料行业协会经济技术管理部 祝大同 李清岩;我国半导体材料业十年大跨越[N];中国电子报;2012年
10 记者 常丽君;超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体[N];科技日报;2013年
相关博士学位论文 前10条
1 孙启明;半导体材料的锁相载流子辐射成像[D];电子科技大学;2015年
2 赵旭光;低维半导体材料的电子自旋结构及设计[D];华东师范大学;2013年
3 李赫;半导体材料的电沉积制备及其形貌控制研究[D];浙江大学;2007年
4 贾博雍;零维半导体材料的电子结构研究[D];北京邮电大学;2010年
5 孔晋芳;氧化锌基半导体材料的拉曼光谱研究[D];上海交通大学;2009年
6 梁建;新型结构半导体材料的制备与表征[D];太原理工大学;2005年
7 俞笑竹;新型半导体材料的制备及性能研究[D];上海交通大学;2012年
8 林亮;有机自旋小分子半导体材料与器件制备及特性研究[D];山东大学;2011年
9 朱应涛;几种半导体材料电子结构及光催化性质的理论研究[D];山东大学;2013年
10 苏炜;有机功能半导体材料的合成,性质及其聚集体的纳米结构[D];山东大学;2007年
相关硕士学位论文 前10条
1 张丽红;局部应变对低维半导体材料的性质调制[D];西南交通大学;2015年
2 马晓阳;GaAs及GaAs_(1-x-y)N_xBi_y四元半导体材料的第一性原理研究[D];山东大学;2015年
3 朱芳;有机功能半导体材料的设计合成与性能研究[D];大连理工大学;2010年
4 张忠恕;半导体材料低温无磨料超光滑表面抛光分析的研究[D];长春理工大学;2009年
5 柯晓娟;半导体材料测试仪器的设计与制作[D];武汉科技大学;2013年
6 陈玉明;半导体材料带隙宽度的尺寸和温度效应研究[D];湘潭大学;2011年
7 王晓斌;镓基半导体材料的二次转化法制备与表征[D];太原理工大学;2013年
8 黎小鹿;激光与半导体材料相互作用的热效应分析[D];江西师范大学;2008年
9 陈科立;半导体材料的电沉积制备及其光电性能研究[D];浙江大学;2011年
10 徐仁伯;多功能半导体材料测试仪的设计[D];湖南大学;2008年
本文编号:2807373
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2807373.html