半导体量子点拓扑及运输特性的理论研究
【学位单位】:中国工程物理研究院
【学位级别】:博士
【学位年份】:2018
【中图分类】:O471.1
【部分图文】:
'逦图1.5:每个原胞有一个原子的轨道示意图逡逑1.2.0.3理想晶体的有效质量近似逡逑晶体哈密顿量l#=沪/(2m0;)邋+邋\/(r),其中m0邋=邋0.91邋x邋10_3Gkg是自由电子逡逑质量。晶格势遵循V>邋+邋R)邋=邋V(r),其中R是任意布拉伐格矢。片。的本征能和逡逑本征态是五?(k)和办^(r)邋(Bloch态)。其中k取第一布里渊区,有多少个原胞就逡逑取多少个值TV,邋n是标记一个原胞里有多少个态,是轨道的指标,有几个轨道逡逑就是几,有自旋则包含自旋(X2)。这里k=;^.g,g为整数,从-f到f。若为逡逑一维,则兰),若为二维,则逡逑比如,如果我们有iv个原胞,每个原胞内只有一个原子,每个原子有iw■个轨逡逑道,则有iV.M个量子态。又如,如果我们有iV个原胞,每个原胞有八5两个原逡逑子,其中A原子有M_4个轨道,5原子有Ms个轨道,则总共有iV邋?丨M_4邋+个逡逑量子态。通过Bloch定理,我们有分?k(r邋+邋R)邋=邋elk'R?/)?k(r),所以Ur)可以写逡逑=lkT=
逦^XN逡逑'逦图1.5:每个原胞有一个原子的轨道示意图逡逑1.2.0.3理想晶体的有效质量近似逡逑晶体哈密顿量l#=沪/(2m0;)邋+邋\/(r),其中m0邋=邋0.91邋x邋10_3Gkg是自由电子逡逑质量。晶格势遵循V>邋+邋R)邋=邋V(r),其中R是任意布拉伐格矢。片。的本征能和逡逑本征态是五?(k)和办^(r)邋(Bloch态)。其中k取第一布里渊区,有多少个原胞就逡逑取多少个值TV,邋n是标记一个原胞里有多少个态,是轨道的指标,有几个轨道逡逑就是几,有自旋则包含自旋(X2)。这里k=;^.g,g为整数,从-f到f。若为逡逑一维,则兰),若为二维,则逡逑比如,如果我们有iv个原胞,每个原胞内只有一个原子,每个原子有iw■个轨逡逑道
图1.7:制备量子点方法:(a)电场约束法;(b)自组织生长法;(c)化学溶液生长逡逑法。逡逑(1)量子尺寸效应,即量子点的尺寸很小时,电子能级会变成离散能级。量逡逑子点中的电子会在这些量子化能级上占据。(2)库仑阻塞效应量子点的电容(7很逡逑小,因此在量子点中增加一个电子,电荷能埯=邋e2/C会比该电子热运动的动逡逑能大。这样一个大的电荷能会阻止电子的增加甚至移走一个电子,这就是库仑逡逑阻塞效应。(3)近藤效应掺杂磁性杂质的金属在温度足够低时,没有配对的局域逡逑化电子跟在费米能附近的巡游电子产生相互作用,形成了一个自旋单态,电阻逡逑率则有了一个极小值。发生近藤效应的温度称之为近藤温度。而在量子点中,逡逑当量子点的电子数TV是奇数,量子点会有局域磁矩。当温度降低直到接近近藤逡逑温度,量子点中未配对的电子跟电极中的电子态发生杂化,导致定域态密度会逡逑在£邋=逦处出现尖峰[24,邋25,邋58]。逡逑1.4拓扑绝缘体逡逑
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