半导体及掺杂型半导体的制备及其SERS性能研究
【学位单位】:长春工业大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN304;O657.37
【部分图文】:
图 1.1 传统 SERS 活性基底自从 1974 年发现了 SERS,至今已经有超过 15000 篇关于 SERS 的文献,并且年来越来越多关于 SERS 的报道,目前有大量的文章报道 SERS 现象,SERS 的增机制为电磁场增强机制 EM(electromagnetic mechanisms)和化学增强机制 C(chemical mechanisms)。下面介绍这两种增强机制。1.2.1 电磁场增强效应电磁场增强机制认为探针分子吸附在具有一定粗糙度的金属基底上,在基底表磁场的影响下导致 Raman 散射增强。现在电磁场增强模型中最受大家广泛接受的表面等离子体共振[16](Surface Plasma Resonance)。根据理论电磁场增强的强度与活基底的大小,形状以及表面状态有关。但是表面等离子体共振的区域只有纳米粒子面几百微米以内并且增强能力随着距离的增加呈指数衰减。除了表面等离子体共振外还有一种增强模型也被研究者认为是电磁增强的因素:避雷针效应(Lighting rod effect):制备有一定粗糙度的金属基底时,会产生很
性基底费米能级上的电子在入射光的激发下跃迁至探针分子的属活性基底费米能级上的空穴与激发状态的电子发生结合。导体作为活性基底时,由于半导体的能级由价带与导带构成。并表面缺陷,由于表面缺陷的存在并束缚电子形成表面能级态,半底的情况类似与金属作为 SERS 活性基底,所以电荷转移一般针分子的最高占有轨道至半导体的导带,探针分子最高占有轨激发下跃迁至半导体活性基底的导带上,探针分子最高占有轨道状态的电子发生结合。导体活性基底的价带至探针分子的最低未占有轨道。半导体价激发下跃迁至探针分子的最低未占有轨道,半导体活性基底的价态的电子发生结合。导体价带上的电子在入射光的激发下通过半导体表面能级态跃未占据轨道,半导体活性基底的价带上的空穴与激发状态的电
第 1 章 绪 论1.2.3 SERS 活性基底SERS 技术的迅速发展离不开 SERS 活性基底的研究。传统的 SERS 活性基底是结构通常为纳米颗粒或有一定粗糙度的金属表面,通过激光光源与金属粒子(Ag、Au、Cu)后相互作用而激发的。自从研究者得到了吡啶分子吸附在半导体上的 SERS 图谱后,自此各种半导体材料成为 SERS 活性基底的新宠[23-25]。如图 1.3[26],近些年半导体作为 SERS 活性基底。
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