基于碳纳米材料的新型互连线设计、建模与仿真分析
【学位单位】:杭州电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN405.97;TQ127.11;TB383.1
【部分图文】:
1.绪论逡逑1.1.研究背景逡逑1965年,Gordon邋Moore邋(Intel创始人之一)于Electronics发表了“摩尔定律”⑴,指逡逑出“集成电路(1C)中半导体芯片上的晶体管数目每近乎2年翻一番,性能提升一倍”。过逡逑去的50多年来,半导体产业始终如一地朝着低成本、大市场和高效益的方向发展[2]。如图逡逑1.1所示,如摩尔定律预测,至2013年,晶体管特征尺寸已缩小到14nm[31,晶体管数目和逡逑时钟频率翻倍增大。同样地,随着晶体管特征尺寸的不断缩小,微处理器、储存器等也按逡逑照这一趋势发展[4]。然而,随着晶体管特征尺寸的不断减小且不断接近物理极限,随之而来逡逑的是漏电流现象和热问题[5],同时人们也将面临着复杂加工工艺带来的高成本。这些现象表逡逑明摩尔定律即将失效。根据2015年国际半导体技术路线蓝图(International邋Technology逡逑Roadmap邋for邋Semiconductors,ITRS)预测,晶体管特征尺寸将会定格在7邋nm[6]。逡逑
图1.2铜互连电阻率随尺寸变化的趋势逡逑事实上,铜互连线由不规则的晶粒构成,电子在经过晶粒界和互连线表面的时候会有逡逑一定概率发生散射现象,如图1.2所示,随着互连线尺寸的不断缩小,当互连尺寸和晶粒尺逡逑寸临界于甚至小于电子平均自由程的时候,散射问题发生可能性越来越大,使得铜互连线逡逑2逡逑
逑的电阻急剧增大[18]。除了散射现象愈发的严重,铜互连线的扩散势垒和互连线边缘粗糙程逡逑度对电阻率的影响也愈发的增大。如图1.3(a)所示,扩散势垒是防止铜原子向外扩散的隔离逡逑层,常见的采用钽(Ta)或氮化钽(TaN)材料。扩散势垒截面积的占比随着制程节点的推逡逑进越来越大,导致铜的有效截面积的占比越来越小,电阻率也越来越大。如图1.3(b)所示,逡逑受工艺制造水平影响,铜互连边缘呈现粗糙的现象,而且粗糙的互连线会影响电子在表面逡逑的散射。美国佐治亚理工学院的G.邋Lopez博士结合边缘粗糙度假设[19],改进了铜互连电阻逡逑率的计算方法,证明粗糙的互连边缘会进一步增大铜互连电阻率。逡逑(a)逦(b)逡逑图1.3邋(a)铜互连的扩散势皇;(b)铜互连边缘粗糙现象[19]逡逑铜互连的可靠性问题主要体现在两方面,一是电迁移现象,电迁移现象指的是有电流逡逑通过互连线的时候,静止的金属原子被运动的电子碰撞,原子获得动能,朝着电子的运动逡逑方向移动。电迁移现象频繁的发生
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本文编号:2818961
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