一种抗辐照栅驱动电路设计
【学位单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN386;TN40
【部分图文】:
硅禁带中的界面陷阱分布密度
反弹效应示意图
HVNMOS管不同总剂量点条件下的转移特性曲线
【参考文献】
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本文编号:2820752
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