曲面微纳结构的静电诱导成形原理与工艺研究
【学位单位】:中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)
【学位级别】:博士
【学位年份】:2015
【中图分类】:TN305.7
【部分图文】:
第 1 章 绪论技术奠定了微电子技术的发展,是迄今为止精至纳米量级的工艺技术,涉及到微观领域术。微纳米加工技术可以搭建人类进入微世界的工具[1]。本文主要研究静电诱导光导图案化技术和微结构模板的静电诱导图陈述。电诱导图案化技术
中国科学院大学博士学位论文:曲面微纳结构的静电诱导成形原理与工艺研究1999 年,美国普林斯顿大学的 Stephon. Chou 报道了一种新型的纳米加工技,即光刻诱导自组装 LISA (Lithographically induced self-assembly)[2]。其实验艺流程如图 1.1 所示:通过旋涂的方法在硅基基片上涂覆一层约 95nm 厚的热性聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜,然后将另一硅基模板放在聚合物膜的上方,为了控制二者之间的间距,需要在硅基模板上沉积厚度为 260nm氧化硅沉积层作为间隔器。将该系统置于 150 度(高于 PMMA 的玻璃化转变度)的高温环境下进行淬火处理,然后自然冷却到室温使聚合物固化成形。这聚合物薄膜会自组装形成了周期性六边形排列的微柱状结构,如图 1.2 所示,个柱状结构的直径为 2.7μm,周期为 3.4μm。
与 Chou 等人的实验不同之处在于,他们在基底和模板之间提供了外电压。图 1.3(a)为膜厚为 93nm 的 PS 薄膜在较大的空气间隙下,利用静电诱导光刻技术得到的微小起伏的微结构;图1.3(b)为膜厚93nm的PS薄膜在较小的空气间隙下,利用静电诱导光刻技术得到的不规则排列的微柱状结构;图 1.3(c)为膜厚为193nm 的 PS 薄膜利用静电诱导光刻技术获得的六角密排的周期性柱状微结构图;图 1.3(d)为 193nm 厚的 PS 薄膜,利用静电诱导光刻技术获得的中心成核,边缘环状分布的柱状微结构。
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本文编号:2821865
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