远源等离子体溅射制备新型TCO材料及其表征
【学位单位】:郑州大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TB383.2;TN304
【部分图文】:
带电粒子以及气体分子相碰撞的几率大大提高,气体更容易被电离,Ar+在高压逡逑电场加速作用下,和靶材撞击使靶材表面的靶原子离开靶材飞向基底,并沉积逡逑在基底上形成薄膜[75_761,图1.1所示为磁控溅射原理图[1]。逡逑I邋-邋逦..i—.,.— ̄I逡逑5邋—逦i"邋■邋I邋■逦,逦—逦I邋:Rotary邋substrate邋holder邋(grounding)逡逑??邋?逦\邋t逦2:Subslrate逡逑At*邋^邋\邋q邋q邋q逦3:Targct邋(cathode)逡逑\逦^邋A逡逑w逦4:Magnetic邋field邋coil逡逑■^"(irouiuling逡逑图1.1磁控溅射原理图逡逑Fig.邋1.1邋The邋schematic邋diagram邋of邋magnetron邋sputtering逡逑在1842年发现阴极溅射到二十世纪30年代利用二极溅射沉积作为导电底逡逑底电极,之后又先后出现射频溅射、三极溅射和磁控溅射技术,磁控溅射作为逡逑一种新型镀膜技术,具有以下优点:逡逑(1)
带电粒子以及气体分子相碰撞的几率大大提高,气体更容易被电离,Ar+在高压逡逑电场加速作用下,和靶材撞击使靶材表面的靶原子离开靶材飞向基底,并沉积逡逑在基底上形成薄膜[75_761,图1.1所示为磁控溅射原理图[1]。逡逑I邋-邋逦..i—.,.— ̄I逡逑5邋—逦i"邋■邋I邋■逦,逦—逦I邋:Rotary邋substrate邋holder邋(grounding)逡逑??邋?逦\邋t逦2:Subslrate逡逑At*邋^邋\邋q邋q邋q逦3:Targct邋(cathode)逡逑\逦^邋A逡逑w逦4:Magnetic邋field邋coil逡逑■^"(irouiuling逡逑图1.1磁控溅射原理图逡逑Fig.邋1.1邋The邋schematic邋diagram邋of邋magnetron邋sputtering逡逑在1842年发现阴极溅射到二十世纪30年代利用二极溅射沉积作为导电底逡逑底电极,之后又先后出现射频溅射、三极溅射和磁控溅射技术,磁控溅射作为逡逑一种新型镀膜技术,具有以下优点:逡逑(1)
化学气相沉积过程一般包括三步:产生挥发性物质;气态物质发生逡逑分解或者与其他气体发生反应;在基底上沉积成膜。化学气相沉积的原理图如逡逑图1.3所示。根据不同需要,化学气相沉积分为常压化学气相沉积、低压化学气逡逑相沉积、等离子体增强化学气相沉积等。化学气相沉积之所以被广泛应用于透逡逑明导电氧化物薄膜的制备是因为具有以下优点:逡逑(1)
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本文编号:2822151
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