微波电感与雷达电路的研究与设计
【学位单位】:北京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TN402;TN957
【部分图文】:
逑图2-1电感定义图示逡逑如图2-1所示,其中,少是磁通量,I是流经导体线圈的电流,B是磁场强度,逡逑S是磁场穿过的横截面积,1是该截面的外周边线长度。士是导体的相对磁导率,逡逑抑是真空磁导率,H是磁场强度矢量。电感值是电感十分重要且直观的物理量,逡逑对于具体的应用场景,我们需要选择适当感值的电感。逡逑2.1.2邋Q邋值逡逑品质因数(Q值)是衡量储能元件的重要指标(也是表征该储能器件的理想逡逑性的重要指标,理想的储能器件其Q值为无穷大)。储能元件主要包括存储电能逡逑的电容和存储磁能的电感,在正弦信号的作用下时,电感的品质因数定义为在一逡逑个周期内存储的能量与消耗能量的比值,即:逡逑一周期内平均存储的能量逦)逡逑^邋一邋W—周期内平均消耗的能量逦_逡逑其中,w是正弦信号的频率,该定义为Q值的一般定义,适用于电感、电容、LC逡逑谐振回路等。理想电感的品质因数为无穷大
逦(b)逡逑图2-2只考虑电感寄生电阻的等效电路(a)串联(b)并联逡逑的影响,对于电感而言,只考虑电感寄生损耗的前提下,如图2-2所示,我们经逡逑常用下式来计算电感的Q值:逡逑Q邋=邋t邋或"=告逦(2_3)逡逑2.1.3自谐振频率逡逑由于高频时电感的一些寄生电容效应,使得电感在达到一定频率后会产生谐逡逑振,因此,我们首先讨论电感的寄生电容特性,电感的寄生电容包含两部分,一逡逑厂逦房逡逑/邋-—---…厂....-.?-.逦逦逡逑s__逦NN+逦^逦J逡逑s线圈与村底逦Z逡逑^逦寄生电容邋y逡逑图2-3线圈与衬底的寄生电容逡逑部分是电感金属线圈与衬底之间的寄生电容,有时候会用较宽的线宽去减小电感逡逑的等效寄生电阻,以增加Q值,但这样会引入较大的寄生电容,另一部分是金属逡逑线之间的耦合电容,每条并行的金属线之间都存在耦合电容,将其模型用集总元逡逑件来进行等效,图2-3为金属线与衬底之间的寄生电容分布图,图2-4为金属线逡逑圈之间的耦合电容分布图,在此基础上,将寄生电容等效电路给出如图2-5所示。逡逑综合考虑这两种电容效应
(a)逦(b)逡逑图2-2只考虑电感寄生电阻的等效电路(a)串联(b)并联逡逑的影响,对于电感而言,只考虑电感寄生损耗的前提下,如图2-2所示,我们经逡逑常用下式来计算电感的Q值:逡逑Q邋=邋t邋或"=告逦(2_3)逡逑2.1.3自谐振频率逡逑由于高频时电感的一些寄生电容效应,使得电感在达到一定频率后会产生谐逡逑振,因此,我们首先讨论电感的寄生电容特性,电感的寄生电容包含两部分,一逡逑厂逦房逡逑/邋-—---…厂....-.?-.逦逦逡逑s__逦NN+逦^逦J逡逑s线圈与村底逦Z逡逑^逦寄生电容邋y逡逑图2-3线圈与衬底的寄生电容逡逑部分是电感金属线圈与衬底之间的寄生电容,有时候会用较宽的线宽去减小电感逡逑的等效寄生电阻,以增加Q值,但这样会引入较大的寄生电容,另一部分是金属逡逑线之间的耦合电容,每条并行的金属线之间都存在耦合电容,将其模型用集总元逡逑件来进行等效,图2-3为金属线与衬底之间的寄生电容分布图,图2-4为金属线逡逑圈之间的耦合电容分布图
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本文编号:2830054
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