银盐半导体材料的制备及其光催化防污性能的研究
【学位单位】:中国科学院大学(中国科学院海洋研究所)
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN304;O643.36;O644.1
【部分图文】:
图 3.1AgBr/AgVO3材料的制备流程图Fig. 3.1 The preparation flow diagram ofAgBr/AgVO3Br/AgVO3复合材料表征X射线衍射仪(Rigaku D/max-3C),扫描电子显微镜(SEMJapan),透射电子显微镜(TEM,Tecnai G2F20,America)能谱仪(XPS,ESCALAB 250XI,America)等一系列测VO3复合材料的结构,组成和形貌等进行表征。与讨论合材料的 X 射线衍射分析 X 射线衍射粉末分析图谱(XRD)来表征光催化剂的晶相和
图 3.3 样品的扫描电镜图:(a)纯 AgVO3,(b)纯 AgBr,(c)0.1 AgBr/AgVO3,(d)0.3AgBr/AgVO3,(e)0.5AgBr/AgVO3,(f)0.7AgBr/AgVO3Fig. 3.3 SEM images of as-synthesized samples: (a) pureAgVO3, (b) pureAgBr,(c) 0.1AgBr/AgVO3, (d) 0.3AgBr/AgVO3, (e) 0.5AgBr/AgVO3, (f) 0.7 AgBr/AgVO33.3.3AgBr/AgVO3复合材料 TEM 分析为了进一步研究 AgBr/AgVO3复合材料的微观结构,进行了 TEM 以及HRTEM 分析。从图 3.4(a, b)可以更清晰地看出,0.5 AgBr/AgVO3复合材料是负载了不规则颗粒的棒状结构。此外,图 3.4(c)的 TEM 图像清楚地显示了该复合材料的棒状结构的直径约为 500 nm,而其上负载的不规则颗粒平均尺寸约为 50 nm,证实该复合材料是纳米级结构。图 3.4(d)显示了 0.5 AgBr/AgVO3的 HRTEM 图像,图中可清晰地看到两组不同的晶格条纹,其间距分别为 0.2985
图 3.4 0.5 AgVO3/AgBr 样品的 TEM(a, b), HRTEM(c)和 SAED(d)谱图Fig. 3.4 (a,b) TEM, (c)HRTEM and (d)SAED of as-synthesized 0.5 AgVO3/AgBr compositions3.3.4AgBr/AgVO3复合材料 XPS 以及 UV-DRS 分析X 射线光电子能谱(XPS)用于研究 0.5 AgBr/AgVO3光催化剂的元素组成和每个元素的原子价态。如图 3.5(a)所示,从样品的 XPS 谱图中可以看出该复合材料是由 Ag,V,O 和 Br 这四种元素组成。图 3.5(b)显示了元素 Ag 3d的高分辨率 XPS 图谱,在该谱图中具有两个峰,分别为 367.96 eV 和 373.97 eV,说明该复合材料中元素 Ag 的价态为+1(Zhang et al., 2018)。在图 3.5(c)中,V 2p 的谱图显示在 524.11 eV 和 516.75 eV 处有两个峰,扥别对应于 V 2p1/2 和 V2p3/2,说明材料中 AgVO3的元素 V 为+5(Lin et al., 2017; Xiang et al., 2017; Guoe al., 2016)。在 Br 3d 的高分辨率图谱中,在 68.65 eV 和 69.64 eV 的两个强峰分
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本文编号:2856834
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