暖白光LED用红色荧光粉的合成与光谱性质的研究
【学位单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TQ422;TN312.8
【部分图文】:
和涂覆上荧光粉封装组成的。与传统照明材料相比量低,使用寿命长,不易老化,显色指数好等优势,被基于 LED 为基础的固态照明技术已经应用在室内照明业和商业建筑等。新型固态半导体材料的发展在人们日发展的发展是由发光二极管芯片以及荧光粉的性能共同决要集中在这两个方面,其发展可以追溯到 20 世纪 60 LED (GaAsP),当时的发光二极管效率并不高,在施加 0.1 lm/W,其较低的发光效率不能超越传统白炽灯的应用中[4-5]。此后科研人员一直致力于提高 GaAsP 红光代,GaAsP 半导体的发光性能得到明显提升,其发光效 1 lm/W,同时 LED 的发光颜色种类也被扩展,逐步研 LED。20 世纪 80 年代之后,凭借各国科学家的不断努提高,随着 GaAlAs LED 的问世,发光效率也提高至
表明荧光粉具有高的量子效率和色纯度片激发并表现出特征红光发射。最强发级跃迁。合成的 LiGd(WO4)2:Eu3+内部温度升高到 150 °C 时的发光强度仍然在的红色荧光材料。剂热法制备了 BiOCl:Eu3+红色荧光粉,射,激发光谱范围在 250 –500 nm,可以浓度为 0.10,BiOCl:Eu3+红色荧光粉在胶凝胶法制备了 Gd2MoO6:Eu3+红色荧 4)能级跃迁得到特征红光或橙红光,d2MoO6:Eu3+能够表现出红光发射,Eu的临界半径为 11.47 ,浓度猝灭机理3+可以适用于紫外光和蓝光芯片,在暖
SiF6:Mn4+红色荧光粉和 K2SiF6:Mn2+黄色2SiF6:Mn2+在 325 nm 作为激发波长时,发4T1→6A1能级跃迁,荧光粉表现出黄绿色长时,发射峰在 638 nm 处获得最大值,射峰,其中~613 nm、~617 nm 处为反斯9 nm、~651 nm 为斯托克斯 v6和 v4和 v3n4+掺杂的氟化物荧光粉优点是操作简单,SiF62-,但考虑到 Si 晶片的成本相对较高,业化制备荧光粉仍具有一些局限性。
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本文编号:2861757
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