结合片上变压器的跨阻放大器的分析与设计
【学位单位】:湘潭大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN722;TM41
【部分图文】:
级采用级联的 RGC 结构目的是为了降低输入阻抗,级间采用来扩展电路带宽。电路采用单电源供电,电源电压为 3V,工5um CMOS 工艺,跨阻放大器的增益为 54dBΩ,-3dB 带宽参考噪声电流仅仅为 800nA。[2]设计了一款光接收机前端放大器,电路设计基于 180nm C电路的工作速率为 5Gb/s。电路设计采用全差分结构,目的是合引起的共模噪声。再电源电压为 1.8V 的情况下,电路增输入参考噪声电流仅为 13.5pA/sqrt(Hz),与此同时电路功耗。
SungMingpark提出的跨阻放大器
M6W=125RB RDIpdCT0.3pFRs1 Rs2CLM1W=20M2W=40图 1.7 Mahmood Seifouri 提出的 RGC-TIA 电路2017 年,Dan Li, Mingan Liu, Li Geng 基于 180nm CMOS 工艺设计了一种新的工作速率为 10Gb/s 的跨阻放大器电路,此电路克服了传统的跨阻放大器的限制,在低噪声与高增益上取得了很好的效果[7]。在 1.8V 电压下,电路的跨阻增益为 68.3dBΩ,等效输入噪声电流功率谱密度仅为 0.97 uArms。
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本文编号:2882069
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