基于石墨烯墙的光电探测器
【学位单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TN36
【文章目录】:
摘要
abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 光电探测器
1.2.1 光电探测器的类别与一般原理
1.2.2 光电探测器的应用
1.2.3 光电探测器的性能指标
1.3 典型的碳材料光电探测器
1.3.1 石墨烯光电探测器
1.3.2 石墨烯量子点光电探测器
1.3.3 碳纳米管光电探测器
1.4 石墨烯墙薄膜的性质及其应用
1.4.1 石墨烯墙的结构与生长机理
1.4.2 石墨烯墙的主要性能
1.4.3 石墨烯墙的应用现状
1.5 本论文的主要工作内容与目的
1.5.1 基于石墨烯墙的柔性红外探测器
1.5.2 与硅工艺兼容的高响应宽波段石墨烯墙光电探测器
第二章 石墨烯墙的制备与表征
2.1 石墨烯墙的制备
2.2 石墨烯墙的表征
2.2.1 表征仪器简介
2.2.2 石墨烯墙的SEM形貌
2.2.3 石墨烯墙的红外吸收率
2.2.4 石墨烯墙拉曼特征峰
2.2.5 石墨烯墙的三维结构
2.3 本章小结
第三章 石墨烯墙与高分子复合的柔性红外探测器
3.1 高分子材料PDMS和PET简介
3.1.1 PDMS简介
3.1.2 PET简介
3.2 器件的制备
3.3 不同基底对器件TCR的影响
3.4 红外辐射响应理论
3.4.1 红外热探测原理示意图
3.4.2 红外热探测器性能的理论
3.5 PDMS与GNWSs复合器件的热响应
3.6 红外响应与柔性性能
3.6.1 PDMS与石墨烯墙复合器件的红外响应和柔性性能
3.6.2 PET与石墨烯墙复合器件的红外与柔性响应性能
3.7 本章小结
第四章 硅/石墨烯墙宽波段高响应光电导探测器的设计与实现
4.1 器件结构与理论
4.2 硅/石墨烯墙复合器件光电响应
4.2.1 本征硅/石墨烯墙光电响应
4.2.2 P硅/石墨烯墙的光电响应
4.2.3 N硅/石墨烯墙的光电响应
4.3 石墨烯墙图形化工艺
4.3.1 AZ3100作为掩蔽层刻蚀石墨烯墙
4.3.2 AZ1500取代AZ3100掩蔽层
4.3.3 金属Ni作为石墨烯墙刻蚀的掩蔽层
4.3.4 LOR二次胶工艺
4.4 窄沟道器件的制备与测试
4.4.1 工艺流程
4.4.2 器件响应测试
4.5 本章小结
第五章 结论与展望
致谢
参考文献
攻读硕士期间取得的成果
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本文编号:2892502
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