铟掺杂对窄禁带半导体碲化铋禁带宽度的影响

发布时间：2020-12-01 17:06

　　窄禁带半导体碲化铋（Bi₂Te₃）不仅具备室温下优秀的热电性能,也具备良好的红外吸收性能,是一种极具潜力的红外功能材料。现有研究成果已经表明,杂质掺杂能够影响Bi₂Te₃的热电与红外性能。并且由于Bi₂Te₃材料的典型层状结构,近年来针对Bi₂Te₃薄膜的研究一直是一个热点课题。而本论文的主要工作包括利用真空蒸发镀膜工艺制备金属铟（In）掺杂的Bi₂Te₃薄膜,即In_xBi_2-xTe₃薄膜,并对其进行红外波段吸收与载流子传输的测试实验,从而研究In掺杂对Bi₂Te₃薄膜的禁带宽度与载流子传输的影响。具体内容如下:1.首先,利用真空蒸发镀膜工艺制备In_xBi_2-xTe₃薄膜,并对其进行退火处理以优化... 

【文章来源】：东南大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：62 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
    1.1 窄禁带半导体的发展与应用
2Te₃的微观结构">    1.2 Bi₂Te₃的微观结构
2Te₃的性质">    1.3 Bi₂Te₃的性质
        1.3.1 热电效应
        1.3.2 热电输运性质
        1.3.3 拓扑绝缘体性质
        1.3.4 光伏效应
2Te₃材料的制备工艺">    1.4 Bi₂Te₃材料的制备工艺
2Te₃晶体制备工艺">        1.4.1 Bi₂Te₃晶体制备工艺
2Te₃薄膜制备工艺">        1.4.2 Bi₂Te₃薄膜制备工艺
2Te₃的研究进展">    1.5 Bi₂Te₃的研究进展
    1.6 论文研究的主要内容
    1.7 论文的结构安排
xBi_2-xTe₃薄膜的制备与表征">第二章 In_xBi_2-xTe₃薄膜的制备与表征
    2.0 引言
    2.1 薄膜制备与退火处理工艺
        2.1.1 真空蒸发镀膜工艺简介
        2.1.2 薄膜退火工艺简介
    2.2 薄膜生长机理
        2.2.1 凝结
        2.2.2 成核
        2.2.3 薄膜生长
    2.3 实验设备与药品试剂
        2.3.1 超声波清洗机
        2.3.2 箱式真空镀膜机
        2.3.3 化学分析天平
        2.3.4 高温退火电阻炉
        2.3.5 扫描电子显微镜系统（SEM-EDX）
        2.3.6 实验主要药品和试剂
    2.4 薄膜制备与退火处理过程
        2.4.1 膜料称量与钼舟制作
        2.4.2 硅片清洗
        2.4.3 真空蒸发镀膜过程
        2.4.4 薄膜退火处理
    2.5 薄膜形貌与组分表征及其分析
        2.5.1 实验流程
        2.5.2 实验结果与分析
    2.6 本章小结
xBi_2-xTe₃薄膜禁带宽度的影响与分析">第三章 In掺杂对In_xBi_2-xTe₃薄膜禁带宽度的影响与分析
    3.1 禁带宽度的测试
    3.2 实验设备
    3.3 实验过程
xBi_2-xTe₃薄膜禁带宽度的影响与分析">    3.4 In掺杂比例对In_xBi_2-xTe₃薄膜禁带宽度的影响与分析
        3.4.1 禁带宽度的测量结果
        3.4.2 禁带宽度窄化的机理分析
    3.5 本章小结
xBi_2-xTe₃薄膜载流子传输的影响与分析">第四章 In掺杂对In_xBi_2-xTe₃薄膜载流子传输的影响与分析
    4.1 前言
    4.2 实验设备
        4.2.1 变温霍尔效应测试仪
        4.2.2 四探针测试仪
    4.3 实验过程
        4.3.1 变温霍尔效应测试仪实验过程
        4.3.2 四探针测试仪实验过程
    4.4 实验结果与分析
        4.4.1 载流子浓度的变化与分析
        4.4.2 迁移率的变化与分析
        4.4.3 电导率的变化与分析
    4.5 本章小结
第五章 总结与展望
    5.1 论文工作总结
    5.2 存在问题与展望
致谢
参考文献
作者简介


【参考文献】：
期刊论文
[1]真空蒸发镀膜[J]. 甄聪棉,李壮志,侯登录,郭革新,李玉现.  物理实验. 2017(05)
[2]红外探测器的发展现状[J]. 汤定元.  激光与红外. 1991(01)



本文编号：2894953