外场条件下InAs/GaAs量子点的荧光光谱研究

发布时间：2020-12-06 05:18

　　1833年英国科学家法拉第发现了硫化银的半导体性质-其电阻随着温度的上升而降低,从此揭开了人们对半导体材料的研究。半导体技术的研究与发展对人类社会产生了深远影响,而具有高稳定性、高可靠性的单光子源对量子通讯技术的发展至关重要。基于分立半导体自组织量子点的单光子源是很好的选择,它具有高亮度、窄线宽、短寿命、易于集成等一系列优点,因此具有重要的科研价值和广泛的应用前景。随着生长工艺的不断发展,以砷化铟/砷化镓（InAs/GaAs）为代表的第二代半导体自组织量子点单光子源的制备已趋于成熟。它属于直接带隙半导体材料,具有较高的发光效率和电子迁移率,可以用来制作高性能的微波、毫米波器件,在卫星通讯、光通讯等领域具有广泛的应用。目前制备InAs/GaAs自组织量子点的方法主要是分子束外延（MBE）,通过精确控制生长工艺与生长参数来制备高质量的样品。另一方面在量子点器件的使用过程中,不可避免的会遇到各种环境要求,如高温焊接,位置固定,集成组装等,这将对量子点的性能产生一定的影响,学者对该问题保持着持续的关注和研究。但对样品发生形变后光学性质的研究少之又少,而在量子点器件的加工过程中样品形变是难以避免... 

【文章来源】：山西大学山西省

【文章页数】：61 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

为GaAs闪锌矿晶体结构（a）立体效果图（b）沿[110]方向的投影图

GaAs能带结构

InAs的能带结构


本文编号：2900798