氧化物半导体材料生长调控与结构性质
发布时间：2020-12-07 09:23
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体ZnO具有优良的光学性能,在短波长光电器件方面具有很大的应用潜力。但是其价带低,受主离化能高,本征施主离化能浅以及掺杂剂固溶度低等特点严重阻碍了稳定可用的p型ZnO的实现,限制了其在器件应用方面的发展。ZnO中的杂质缺陷的形成受众多因素制约,并对其导电性能、磁性行为以及发旋光性能产生严重影响,因此研究和调控ZnO中杂质缺陷对实现p型ZnO,实现ZnO基材料的光电器件性能具有着深刻的意义。针对上述问题,我们在本论文中以ZnO中的杂质缺陷的调控作为重点,特别对研究界认为最有希望实现p型掺杂的单氮掺杂与等电子共掺技术中的缺陷调控行为进行了深入的研究,并对有望降低p型掺杂技术难度的掺硫合金与低维结构的制备与性质进行了详细的研究,论文同时对在自旋电子学领域具有重要研究价值的磁性氧化物异质结的界面行为与特征进行了认真的探讨和分析,取得了一系列的创新研究成果,为未来解决ZnO中的p型掺杂这一科学与技术难题,实现ZnO基材料的器件应用提供可能的解决方案和技术思路。论文主要取得了以下成果:（1）采用极富氧的生长工艺以抑制通常氮掺杂情形下施主缺陷的严重自补偿行为,在N掺杂ZnO中成功地...
【文章来源】：南京大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：139 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
纤锌矿Zn0的晶格结构示意图[f81
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【参考文献】：
期刊论文
[1]ZnS型发光材料光老化的研究[J]. 唐明道,刘义俊,罗晞. 发光学报. 1994(01)
博士论文
[1]氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长与性质[D]. 黄时敏.南京大学 2014
本文编号：2903017
【文章来源】：南京大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：139 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
纤锌矿Zn0的晶格结构示意图[f81
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【参考文献】：
期刊论文
[1]ZnS型发光材料光老化的研究[J]. 唐明道,刘义俊,罗晞. 发光学报. 1994(01)
博士论文
[1]氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长与性质[D]. 黄时敏.南京大学 2014
本文编号：2903017
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