nc-Si：H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性研究

发布时间：2020-12-07 20:42

　　本文采用微电子机械加工技术（MEMS）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）方法构建nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管（SMST）基本结构,该结构采用nc-Si:H（n）/c-Si（p）异质结作为硅磁敏三极管发射结,包括基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。通过理论分析异质结的高注入比特性,给出nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管工作原理,理论分析给出,该nc-Si:H/c-Si异质结能够改善硅磁敏三极管磁敏特性和温度特性。在此基础上,采用ATLAS软件构建nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管仿真结构模型,通过分析IC-VCE特性、磁敏特性和温度特性,并与同质结硅磁敏三极管相应特性进行对比,同时研究基区长度（L）、基区宽度（w）和集电结面积（SC）等因素对nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性的影响,实现结构尺寸优化。在此基础上,本文在p型<100>晶向高阻（ρ>1000Ω·cm）单晶硅衬底上实现nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片设计、制作和封装。在室温条件下,采用半导体特性分析系统（KEITHLEY 4200）、磁场发生器系... 

【文章来源】：黑龙江大学黑龙江省

【文章页数】：84 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

硅磁敏三极管结构图

图 1-7 横向和纵向磁场传感器版图g.1-7 Horizontal and vertical magnetic field sensor la图 1-8 侧墙型磁敏三极管结构图tructure diagram of magnetic sensitivity transistor wisors and Actuators A》报道了一种采用 CMO8 为其基本结构图。集电极电流随外加磁场

一个横向晶体管（测试横向磁场 Bz）组成，每连接，不同的是基区的扩散深度和杂质浓度[13变化范围是 15-40% T 1，传感器输出信号与外温度漂移[16]。图 1-7 横向和纵向磁场传感器版图Fig.1-7 Horizontal and vertical magnetic field sensor lay

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：2903872