横向电阻区对IGBT过电流关断能力的影响研究

发布时间：2020-12-10 12:45

　　针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在过电流关断测试中被烧毁的问题,设计了三种不同的横向电阻区结构。为了分析器件的失效机理,研究不同结构横向电阻区对过电流关断能力的影响,借助Sentaurus TCAD仿真工具构建了器件模型,模拟了器件的整个过电流关断过程。对三种结构器件在过电流关断过程中的内部关键物理参量的变化情况进行分析,发现不同长度的横向电阻区对空穴的抽取效率不同,进而可以影响到电流密度分布。当电阻区增加到一定长度时,可以有效提升过电流关断能力,避免器件烧毁失效。 

【文章来源】：微电子学. 2020年02期 第262-266+271页 北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引 言
1 器件的结构
2 仿真测试结果
    2.1 通态下横向电阻区附近的空穴浓度与电流密度分布
    2.2 过电流关断过程最高温度变化及温度分布
3 结果与分析
    3.1 器件空穴浓度和电流密度演变
    3.2 通态下横向电阻区附近空穴浓度与电流密度分布
4 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]大功率IGBT模块及驱动电路综述[J]. 杨媛,文阳,李国玉.  高电压技术. 2018(10)
[2]影响IGBT动态特性参数浅析[J]. 陈喻.  科技与创新. 2018(14)
[3]主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响[J]. 吴郁,俞敏锋,郭晨,金锐,崔磊.  北京工业大学学报. 2018(02)
[4]1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究[J]. 陈天,杨晓鸾,季顺黄.  固体电子学研究与进展. 2014(02)



本文编号：2908716