用于射频系统的10 MS/s 10位SARA/D转换器
发布时间:2020-12-10 21:57
设计了一种用于射频系统的低功耗、中速中精度差分输入逐次逼近型(SAR)A/D转换器。采样完成后采用下极板对接的逻辑算法,10位SAR A/D转换器只需9位DAC即可满足其精度要求。DAC阵列采用分段电容结构,节省了芯片面积。比较器采用前置运算放大器加锁存器的结构,达到了同时兼顾速度和精度的要求。该A/D转换器芯片采用GSMC 0.13μm 1P7M CMOS工艺制造,其核心电路尺寸为500μm×360μm,采用1.2V的单电源供电。测试结果表明,当采样频率为10MS/s,输入信号频率为2MHz时,该SAR A/D转换器达到8.45位的有效精度,总功耗为2.17mW;当采样频率为5MS/s,输入信号频率为1MHz时,该SAR A/D转换器达到8.75位的有效精度,总功耗为2.07mW。
【文章来源】:微电子学. 2017年03期 第293-297页 北大核心
【文章页数】:5 页
【部分图文】:
图6比较器单元结构框图比较器单元的工作过程分为复位和比较两个阶
s软件设计综合,采用Cadence软件布局布线。3仿真与测试结果基于GSMC0.13μm1P7M标准CMOS工艺,设计的SARA/D转换器版图如图7所示。按照模拟电路与数字电路分开原则,将逻辑电路、开关、电容DAC和比较器按顺序依次摆放,以减小数字部分的干扰。将对环境敏感的比较器前置运算放大器放在了保护环内,有效地减小了外界干扰。芯片的核心电路尺寸为500μm×360μm,芯片照片如图8所示。图7SARA/D转换器版图图8SARA/D转换器芯片照片使用CadenceSpectre软件对整个SARA/D转换器进行了仿真。输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号。输入一个周期为16.66ns的正弦波,由内部电路驱动为高频方波信号,作为SARA/D转换器的时钟。SARA/D转换器的前仿真结果如表1所示。仿真条件为:VDD为1.2V,T为27℃,fin为1.1084MHz,fs为5MS/s。表1SARA/D转换器前仿真结果参数数值SINAD/dB61.46ENOB/bit9.89SFDR/dB76.32DNL/LSB+0.25/-0.25INL/LSB+0.14/-0.15PALL/mW2.07输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号,对该A/D转换器的后仿真输出采样1024点,使用Matlab软件进行FFT分析,得到的FFT结果
ence软件布局布线。3仿真与测试结果基于GSMC0.13μm1P7M标准CMOS工艺,设计的SARA/D转换器版图如图7所示。按照模拟电路与数字电路分开原则,将逻辑电路、开关、电容DAC和比较器按顺序依次摆放,以减小数字部分的干扰。将对环境敏感的比较器前置运算放大器放在了保护环内,有效地减小了外界干扰。芯片的核心电路尺寸为500μm×360μm,芯片照片如图8所示。图7SARA/D转换器版图图8SARA/D转换器芯片照片使用CadenceSpectre软件对整个SARA/D转换器进行了仿真。输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号。输入一个周期为16.66ns的正弦波,由内部电路驱动为高频方波信号,作为SARA/D转换器的时钟。SARA/D转换器的前仿真结果如表1所示。仿真条件为:VDD为1.2V,T为27℃,fin为1.1084MHz,fs为5MS/s。表1SARA/D转换器前仿真结果参数数值SINAD/dB61.46ENOB/bit9.89SFDR/dB76.32DNL/LSB+0.25/-0.25INL/LSB+0.14/-0.15PALL/mW2.07输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号,对该A/D转换器的后仿真输出采样1024点,使用Matlab软件进行FFT分析,得到的FFT结果如图9所示。图9后仿真结
【参考文献】:
期刊论文
[1]一种2.5V1-MS/s 12位逐次逼近A/D转换器[J]. 孙彤,李冬梅. 微电子学. 2007(05)
[2]逐次逼近A/D转换器综述[J]. 孙彤,李冬梅. 微电子学. 2007(04)
硕士论文
[1]植入式高能效SAR ADC的研究与设计[D]. 赵达勤.华南理工大学 2013
本文编号:2909342
【文章来源】:微电子学. 2017年03期 第293-297页 北大核心
【文章页数】:5 页
【部分图文】:
图6比较器单元结构框图比较器单元的工作过程分为复位和比较两个阶
s软件设计综合,采用Cadence软件布局布线。3仿真与测试结果基于GSMC0.13μm1P7M标准CMOS工艺,设计的SARA/D转换器版图如图7所示。按照模拟电路与数字电路分开原则,将逻辑电路、开关、电容DAC和比较器按顺序依次摆放,以减小数字部分的干扰。将对环境敏感的比较器前置运算放大器放在了保护环内,有效地减小了外界干扰。芯片的核心电路尺寸为500μm×360μm,芯片照片如图8所示。图7SARA/D转换器版图图8SARA/D转换器芯片照片使用CadenceSpectre软件对整个SARA/D转换器进行了仿真。输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号。输入一个周期为16.66ns的正弦波,由内部电路驱动为高频方波信号,作为SARA/D转换器的时钟。SARA/D转换器的前仿真结果如表1所示。仿真条件为:VDD为1.2V,T为27℃,fin为1.1084MHz,fs为5MS/s。表1SARA/D转换器前仿真结果参数数值SINAD/dB61.46ENOB/bit9.89SFDR/dB76.32DNL/LSB+0.25/-0.25INL/LSB+0.14/-0.15PALL/mW2.07输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号,对该A/D转换器的后仿真输出采样1024点,使用Matlab软件进行FFT分析,得到的FFT结果
ence软件布局布线。3仿真与测试结果基于GSMC0.13μm1P7M标准CMOS工艺,设计的SARA/D转换器版图如图7所示。按照模拟电路与数字电路分开原则,将逻辑电路、开关、电容DAC和比较器按顺序依次摆放,以减小数字部分的干扰。将对环境敏感的比较器前置运算放大器放在了保护环内,有效地减小了外界干扰。芯片的核心电路尺寸为500μm×360μm,芯片照片如图8所示。图7SARA/D转换器版图图8SARA/D转换器芯片照片使用CadenceSpectre软件对整个SARA/D转换器进行了仿真。输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号。输入一个周期为16.66ns的正弦波,由内部电路驱动为高频方波信号,作为SARA/D转换器的时钟。SARA/D转换器的前仿真结果如表1所示。仿真条件为:VDD为1.2V,T为27℃,fin为1.1084MHz,fs为5MS/s。表1SARA/D转换器前仿真结果参数数值SINAD/dB61.46ENOB/bit9.89SFDR/dB76.32DNL/LSB+0.25/-0.25INL/LSB+0.14/-0.15PALL/mW2.07输入一个频率为1.1084MHz,幅度为249mV的正弦波信号,对该A/D转换器的后仿真输出采样1024点,使用Matlab软件进行FFT分析,得到的FFT结果如图9所示。图9后仿真结
【参考文献】:
期刊论文
[1]一种2.5V1-MS/s 12位逐次逼近A/D转换器[J]. 孙彤,李冬梅. 微电子学. 2007(05)
[2]逐次逼近A/D转换器综述[J]. 孙彤,李冬梅. 微电子学. 2007(04)
硕士论文
[1]植入式高能效SAR ADC的研究与设计[D]. 赵达勤.华南理工大学 2013
本文编号:2909342
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2909342.html