一种新型功率ACCUFET的设计研究

发布时间：2020-12-14 05:40

　　电力电子技术可以对电能进行处理和转换,并提高电能的使用效率,制作高效率低功耗的功率半导体器件对于节约能源和保护环境有着重要意义。功率半导体器件的不断更新升级也推动着电力电子技术的发展。本文基于VDMOS的器件结构,研究了一种集成肖特基结的超结ACCUFET（Accumulation Field Effect Transistor）的新型功率器件。与传统的NMOS结构不同,ACCUFET器件基区为N型掺杂,通过加栅极偏压产生电子的积累层进行导电,由于积累层中电子的迁移率更高,因此ACCUFET器件具有更低的比导通电阻。同时,传统VDMOS中源极区域的P-body区会形成寄生的双极型晶体管,当器件发生雪崩击穿时可能开启导致器件失效,因此本文提出的ACCUFET器件将P-body区移除,同时使用肖特基势垒二极管辅助耗尽N型基区保证器件的特性,而肖特基结构的加入也有效改善了器件的反向恢复特性和开关特性。通过加入超结结构,器件在达到规定耐压的同时得到了低的比导通电阻。本文主要内容如下:1.本文首先介绍了常见的ACCUFET器件的结构、工作原理和发展历史;随后介绍了超结理论以及超结理论改善漂移区比... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：78 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

VDMOS的结构对比

传统漂移区

槽栅积累型Si

【参考文献】：
期刊论文
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博士论文
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本文编号：2915919