基于环形振荡器的硅通孔测试方法研究

发布时间：2020-12-17 18:03

　　传统的二维集成电路已经不能通过减小其尺寸来达到进一步提高性能的目的,摩尔定律正在逐渐失效。为了延续摩尔定律以及进一步提高集成电路的性能,三维集成电路的概念被提出。不同于传统的二维集成电路,三维集成电路将芯片中各个模块通过硅通孔垂直堆叠,以达到减小互连线长度、减小寄生参数和提高集成电路性能的目的。硅通孔是三维集成中最重要的器件之一,由于集成电路上的硅通孔密度很高,而且十分脆弱,因此传统的探针结构不适用与硅通孔的测试。如何对硅通孔进行测试以提高芯片良品率和对工艺进行监测是三维集成电路中的一个重要课题。本文对三维集成电路中的硅通孔测试进行研究。由于本文采用电学方法对硅通孔进行故障诊断,所以本文首先对硅通孔的电学建模进行研究。前人的文献往往脱离硅通孔的物理尺寸而对硅通孔测试进行研究而且仅仅采用公式分析的方法导致了电学模型不够精确,本文通过三维全波仿真软件对硅通孔物理模型进行分析,通过仿真软件得到的硅通孔等效电学模型会更加精确,随后在硅通孔物理模型上注入故障,研究故障对硅通孔等效电学模型的影响。仿真结果表明,硅通孔的孔洞故障导致硅通孔的等效电阻增加,硅通孔的漏电故障导致硅通孔和外层基质形成的等效... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：80 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

硅通孔制作从上述的硅通孔的制作流程中可以看出，硅通孔的一端被深埋在硅基底中，硅

图 2-2 硅通孔绑定从上述硅通孔的绑定过程中可以看出，硅通孔的两端均可以获得，这个阶对硅通孔进行的测试称为绑定后测试。下图展示了多层晶片通过硅通孔绑定的示意图。

多层晶片通过硅通孔绑定的示意图


本文编号：2922446