荷控忆阻器记忆衰退的寄生效应

发布时间：2020-12-18 05:59

　　荷控忆阻器在寄生元件存在的情况下,可能发生记忆衰退现象。该文采用忆阻器动力学路线图和仿真的方法,研究了忆阻器寄生电阻和寄生电容对其动力学特性的影响。理论和仿真分析发现,理想荷控(流控)忆阻器在直流和交流激励下,寄生电阻或寄生电容单独存在时不发生记忆衰退现象,但在寄生电阻和寄生电容同时存在的情况下会发生记忆衰退,其机理是寄生元件形成放电通路,从而导致荷控忆阻器产生了记忆衰退。 

【文章来源】：电子与信息学报. 2020年04期 北大核心

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

理想荷控忆阻器DRM

?,；图5(b)是此电压激励下忆阻器的状态响应；图5(c)为幅度，周期的三角波，图5(d)为三角波激励下的状态响应。从图5中可以很明显地看出，对应不同的初值忆阻器有不同的稳态响应，它们互不重合，没有渐进收敛到唯一的稳态值。4寄生元件对荷控忆阻器记忆衰退的影响4.1寄生串联电阻的影响忆阻器的电极引线会产生寄生电阻，单独考虑寄生串联电阻R时的荷控忆阻器电路如图6所示。根据基尔霍夫电压和电流定律，电路的动力学方程为dqdt=vR+1+q2(6)图2理想荷控忆阻器DRM图3理想荷控忆阻器在不同初值条件下的DC响应图4理想荷控忆阻器在不同初值条件下的AC响应846电子与信息学报第42卷

?煊Γ煌?5(c)为幅度，周期的三角波，图5(d)为三角波激励下的状态响应。从图5中可以很明显地看出，对应不同的初值忆阻器有不同的稳态响应，它们互不重合，没有渐进收敛到唯一的稳态值。4寄生元件对荷控忆阻器记忆衰退的影响4.1寄生串联电阻的影响忆阻器的电极引线会产生寄生电阻，单独考虑寄生串联电阻R时的荷控忆阻器电路如图6所示。根据基尔霍夫电压和电流定律，电路的动力学方程为dqdt=vR+1+q2(6)图2理想荷控忆阻器DRM图3理想荷控忆阻器在不同初值条件下的DC响应图4理想荷控忆阻器在不同初值条件下的AC响应846电子与信息学报第42卷

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于忆阻器的乘法器电路设计[J]. 王光义,沈书航,刘公致,李付鹏.  电子与信息学报. 2020(04)



本文编号：2923489