基于二硒化铪可饱和吸收体的被动调Q掺铒光纤激光器的研究

发布时间：2020-12-19 09:28

　　报道了一种采用新型二维材料二硒化铪可饱和吸收体的被动调Q掺铒光纤激光器。通过机械剥离法制备了二硒化铪薄片,将其作为可饱和吸收器件插入掺铒光纤激光器谐振腔内,实现了稳定的调Q脉冲激光输出。在泵浦功率为140 mW时,通过控制偏振控制器调节谐振腔内的偏振状态,获得了中心波长为1532.3 nm,3 dB谱线宽度为0.68 nm的稳定调Q脉冲输出;当泵浦功率增加到360 mW时,脉冲输出的重复频率从42.3 kHz变化到88.2 kHz,脉冲宽度从3.3μs变化到1.8μs。实验结果表明,在最大泵浦功率处,光纤激光器输出的最大功率为6.1 mW,单脉冲能量为68.5 nJ。 

【文章来源】：光学学报. 2020年13期 北大核心

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

AFM和拉曼光谱仪的测量结果。

基于HfSe2-SA的被动掺铒光纤激光器装置图

报道了一种基于新型二维材料HfSe2的被动调Q掺铒光纤激光器。采用机械剥离法制备HfSe2薄片并以其为可饱和吸收体,其调制深度为18%,非饱和损耗为62.2%。随着泵浦功率的增加,获得了中心波长为1532.3 nm的脉冲激光输出,且当泵浦功率从140 mW增加到360 mW时,重复频率从42.3 kHz增加到88.2 kHz,脉冲宽度从3.3 μs减少到1.8 μs。调Q脉冲输出的最大功率为6.04 mW,最大单脉冲能量为68.5 nJ。该研究结果扩宽了二维材料的光学调制范围,而且证实了新型二维材料HfSe2可应用于1.5 μm波段脉冲激光器。图4 基于HfSe2-SA的光纤激光器性能。

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：2925667