利用Ag/P-GaN双光栅改善LED发光特性

发布时间：2020-12-19 20:05

　　为了提高GaN基LED的发光效率,设计了一种新型LED模型,该模型主要包括Ag光栅,氧化铟锡过渡层和PGaN光栅。首先阐述了利用该结构激发表面等离子体从而改善LED发光特性的原理,讨论了该模型的加工工艺与制作过程。基于COMSOL软件,利用有限元法对本文提出的LED模型进行了仿真分析,得出该模型在不同结构参数下,归一化辐射功率与归一化损耗功率随波长的变化规律以及电场分布情况。仿真结果表明,在ITO过渡层厚度为55nm,周期为270nm,占空比为0.5时,所设计的GaN基LED模型的发光强度较普通LED提高近30倍,这一结果为研制高性能GaN基LED提供了可靠基础。 

【文章来源】：光学精密工程. 2017年05期 北大核心

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 引言
2 结构设计及理论研究
    2.1 LED结构模型
    2.2 理论研究
    2.3 共振条件
    2.4 参数设置
3 仿真结果与数值分析
    3.1 过渡层厚度d
    3.2 光栅周期T
    3.3 占空比r
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
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[4]ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率[J]. 胡金勇,黄华茂,王洪,胡晓龙.  发光学报. 2014(05)
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[6]采用银纳米圆盘阵列提高LED发光特性的研究[J]. 张振明,李康,孔凡敏,高晖.  光学学报. 2012(04)
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本文编号：2926496