一种用于高速低抖动时钟电路的片上电源系统设计

发布时间：2020-12-20 06:20

　　随着CMOS工艺技术的进步和片上系统芯片（system on chip,SoC）的广泛应用,传统的电源管理解决方案已无法满足片上系统芯片对电源的需求。SoC中对电源噪声和纹波比较敏感的电路模块,常常需要集成于片内的低压差线性稳压器（Low-dropout regulator,LDO）为其提供干净的电源电压。设计成本低、易集成、不需要片外电容、具备高电源噪声抑制比的LDO是目前面临的一个挑战。无片外电容型LDO是近年来研究较热的线性稳压器结构,其无需片外电容,适合集成于片上系统芯片内部。因此,本文对可集成于片上系统芯片内部的无片外电容型低压差线性稳压器进行了研究和设计。本文对LDO的结构原理和设计难点进行了深入的研究和分析,通过分析调整管的作用和可选类型,采用NMOS作LDO的调整管;通过分析LDO的环路结构,采用米勒补偿和阻抗衰减的方法进行环路的频率补偿,让其在轻载和重载情况下均具有良好的稳定性;通过分析LDO电源噪声抑制比的原理,设计足够的环路增益来保证LDO在低频段具备较优的电源噪声抑制比;为了优化LDO在1MHz附近中间频率段的电源噪声抑制比,采用前馈纹波抵消技术,设计了专门的辅... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：87 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

一种提升LDO电源抑制比的方法

带隙基准模块BJT版图

带隙基准电路版图

【参考文献】：
期刊论文
[1]非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计[J]. 吴志明,杨鹏,吕坚,蒋亚东.  电子科技大学学报. 2009(01)

硕士论文
[1]高电源抑制比片上供电系统研究与设计[D]. 何鸣.电子科技大学 2017
[2]低噪声高电源抑制比片上LDO的研究与设计[D]. 李亮.电子科技大学 2016



本文编号：2927370