Eu 2+ /Ce 3+ 掺杂的几种典型近紫外白光LED用发光材料的制备及性能调控
发布时间:2020-12-26 17:38
白光LED在照明领域应用广泛,近紫外LED芯片复合多色荧光粉的组合方式呈现出巨大的应用潜力,但是当前近紫外LED用发光材料存在发光效率不高或者热稳定性不好或者不易合成等诸多问题。因此本论文尝试探索了Ce3+/Eu2+掺杂的几种典型发光材料的制备及发光性质。一方面本论文希望得到性能优异的发光材料并探索其潜在应用,另一方面本论文也深入研究了组分-结构-性质-发光性能的依赖关系,希望这对于发光机理的丰富和之后发光材料的开发有所帮助。具体有以下方面:1.采用碳热还原氮化法制备了一种四元氮化物发光材料Sr1-xCaxYSi4N7:0.01Eu。XRD数据证实了该固溶体发光材料Sr1-xCaxYSi4N7:0.01Eu2+(0≤x≤0.5)的形成。随着Ca2+取代Sr2+量的增加,在近紫外激发下系列样品的发射光谱从5...
【文章来源】:兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:111 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
LED基本结构图
图 1-1 LED 基本结构图[2]一种能将电能转换为光能的半导体二极管。如图1-1所示,体芯片封装在环氧树脂中,再加上反射杯及环氧透镜等光器件[2]。LED芯片是LED的核心部分,其直径一般为200~N型半导体两部分组成,二者连接处即是PN结。N型半导而P型半导体中主要是空穴。图1-2是LED发光原理示意图时,P区的空穴向N区移动而N区的电子向P区移动,电子量子阱中。当电子与空穴在PN结处复合时,就会以光子的
兰州大学博士研究生学位论文 Eu2+/Ce3+掺杂的几种典型近紫外白光 LED 用发光材料的制备及性能调控大多数LED用的半导体材料采用的是第三主族元素和第五主族元素构成的化合物其中红光LED主要由砷化铝镓(AlGaAs)制成,绿光LED的材料是磷化铝镓(AlGaP),而蓝光LED的是氮化铟镓(InGaN)[13]。1.1.2 白光 LED 的实现方式
【参考文献】:
期刊论文
[1]硅酸盐基质白光LED用宽激发带发光材料研究进展[J]. 罗昔贤,曹望和,孙菲. 科学通报. 2008(09)
[2]Pr3+或Sm3+掺杂YAG∶Ce的发光特性及其荧光寿命[J]. 孔丽,甘树才,洪广言,张吉林. 发光学报. 2007(03)
[3]新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉[J]. 孙晓园,张家骅,张霞,刘慎薪,蒋大鹏,王笑军. 发光学报. 2005(03)
[4]固态照明光源的基石——氮化镓基白光发光二极管[J]. 张国义,陈志忠. 物理. 2004(11)
[5]发光二极管材料与器件的历史、现状和展望[J]. 方志烈. 物理. 2003(05)
[6]碳热还原法制备氮化硅粉体的反应过程分析[J]. 李虹,黄莉萍,蒋薪. 无机材料学报. 1996(02)
博士论文
[1](近)紫外白光LED用几种氧化物基发光材料的制备及其发光性能研究[D]. 朱革.兰州大学 2015
[2]新型氧氮化物荧光粉的性能研究和理论计算[D]. 唐家业.中国科学技术大学 2013
[3]硅氧氮化物荧光粉的制备工艺与性能研究[D]. 杨秀芳.中国科学技术大学 2012
[4]白光LED用硅基氧氮化物荧光粉的研究[D]. 解文杰.中国科学技术大学 2010
本文编号:2940163
【文章来源】:兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:111 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
LED基本结构图
图 1-1 LED 基本结构图[2]一种能将电能转换为光能的半导体二极管。如图1-1所示,体芯片封装在环氧树脂中,再加上反射杯及环氧透镜等光器件[2]。LED芯片是LED的核心部分,其直径一般为200~N型半导体两部分组成,二者连接处即是PN结。N型半导而P型半导体中主要是空穴。图1-2是LED发光原理示意图时,P区的空穴向N区移动而N区的电子向P区移动,电子量子阱中。当电子与空穴在PN结处复合时,就会以光子的
兰州大学博士研究生学位论文 Eu2+/Ce3+掺杂的几种典型近紫外白光 LED 用发光材料的制备及性能调控大多数LED用的半导体材料采用的是第三主族元素和第五主族元素构成的化合物其中红光LED主要由砷化铝镓(AlGaAs)制成,绿光LED的材料是磷化铝镓(AlGaP),而蓝光LED的是氮化铟镓(InGaN)[13]。1.1.2 白光 LED 的实现方式
【参考文献】:
期刊论文
[1]硅酸盐基质白光LED用宽激发带发光材料研究进展[J]. 罗昔贤,曹望和,孙菲. 科学通报. 2008(09)
[2]Pr3+或Sm3+掺杂YAG∶Ce的发光特性及其荧光寿命[J]. 孔丽,甘树才,洪广言,张吉林. 发光学报. 2007(03)
[3]新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉[J]. 孙晓园,张家骅,张霞,刘慎薪,蒋大鹏,王笑军. 发光学报. 2005(03)
[4]固态照明光源的基石——氮化镓基白光发光二极管[J]. 张国义,陈志忠. 物理. 2004(11)
[5]发光二极管材料与器件的历史、现状和展望[J]. 方志烈. 物理. 2003(05)
[6]碳热还原法制备氮化硅粉体的反应过程分析[J]. 李虹,黄莉萍,蒋薪. 无机材料学报. 1996(02)
博士论文
[1](近)紫外白光LED用几种氧化物基发光材料的制备及其发光性能研究[D]. 朱革.兰州大学 2015
[2]新型氧氮化物荧光粉的性能研究和理论计算[D]. 唐家业.中国科学技术大学 2013
[3]硅氧氮化物荧光粉的制备工艺与性能研究[D]. 杨秀芳.中国科学技术大学 2012
[4]白光LED用硅基氧氮化物荧光粉的研究[D]. 解文杰.中国科学技术大学 2010
本文编号:2940163
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2940163.html