基于二维材料二硒化锡场效应晶体管的光电探测器

发布时间：2020-12-27 08:48

　　以二硒化锡作为沟道材料,设计并制备基于二硒化锡场效应晶体管的光电探测器.以化学气相输运法制备的二硒化锡纯度高且结晶度良好,对二硒化锡使用机械剥离法制备出层状二硒化锡,薄膜的横向尺寸最大可达25—35μm,最薄厚度仅为1.4 nm,使用图形转移法制备基于二硒化锡的场效应晶体管,表面光滑无褶皱,且表现出良好的电学性质,呈现出n型半导体的特征,作为光电探测器对波长分别为405, 532, 650 nm的三基色光表现出明显的光响应.尤其是对405 nm的蓝紫光响应度最高,在光强为5.40 m W/cm²时,响应度达到19.83 AW^–1,外量子效率达到6.07×10³%,探测率达到4.23×10¹⁰ Jones,并且具有快速的响应速度,响应反应时间为23.8 ms.结果表明二硒化锡在可见光光探测器和新一代光电子器件中具有潜在的应用前景. 

【文章来源】：物理学报. 2020年13期 北大核心

【文章页数】：7 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]新型机械解理方法在二维材料研究中的应用[J]. 许宏,孟蕾,李杨,杨天中,鲍丽宏,刘国东,赵林,刘天生,邢杰,高鸿钧,周兴江,黄元.  物理学报. 2018(21)
[2]基于石墨烯-钙钛矿量子点场效应晶体管的光电探测器[J]. 郑加金,王雅如,余柯涵,徐翔星,盛雪曦,胡二涛,韦玮.  物理学报. 2018(11)
[3]二硫化钼薄膜的原位制备及其光电化学性能研究[J]. 郑朝,孙明轩,张强,吴泓要.  现代化工. 2018(04)
[4]过渡金属硫族化合物二维晶体基复合材料的研究进展[J]. 孙兰,张龙,马飞.  中国材料进展. 2017(01)
[5]水热法合成纳米花状二硫化钼及其微观结构表征[J]. 傅重源,邢淞,沈涛,邰博,董前民,舒海波,梁培.  物理学报. 2015(01)



本文编号：2941447