基于相干光的微电子光学测量系统技术研究

发布时间：2020-12-31 18:04

　　集成电路的集成度越来越高,对微电子测量技术提出了巨大的挑战。光学关键尺寸（OCD）测量技术是微电子结构测量领域的主要技术之一。伴随着微电子结构关键尺寸减小,OCD测量系统灵敏度减小,同时也会存在测量极限与分辨率问题。针对这一问题,本文将基于相干光的光学系统应用到OCD测量系统中,利用相干光来提高OCD测量系统的灵敏度。首先,散射度量术在微电子结构的关键尺寸测量中有着重要的应用,尤其是作为重要应用的OCD测量技术。本文对OCD测量系统的正问题和逆问题作了深入的讨论分析。进一步介绍了工业界在微电子结构测量中常用的显微测量技术。对比分析了各个测量方法的优缺点。其次,阐述了光学测量系统的衍射极限产生原因。研究分析了已有的相干光光学测量系统在微电子结构关键尺寸测量中的应用。在此基础上,给出了OCD测量系统结合相干光光学系统的方案,即将相干光光学系统应用在OCD测量系统中。并给出了相应的理论分析。对结合相干光的OCD测量系统在干涉结果以及系统灵敏度上进行了讨论分析。并与已有的OCD测量系统结果进行了对比分析。利用MATLAB工具对基于相干光的光学测量系统进行模拟仿真。在对周期性光栅结构的光反射场的... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：70 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

散射度量术原理图

术主要是应用在工业检测当中。显微测现更多参数的测量。OCD 测量是测关键。是光学测量中重要的一个方面。不过 寸小于半波长尺寸的参数时，存在着衍射极限理论和最常用的 OCD 测量技术以最后给出了不同的测量方法并分析了各射极限）是光从一种介质进入另外一种介质时着两种介质分界面垂直的深度的增大以全反射时，光波需要在介质中传播一段距

图 2-2 一维矩形光栅的几何图形 一维光栅几何模型。可以得出：射表达式[19]：0sin 2xm c xk k n m 22lz , m 0l xmk k n k表达需要满足 , , , , , , , ,Re( ) Im( ), , ,lz m n lz m n lz m n lz m nk k k k l c sub方向的周期值，Λy是 y 方向的周期值；m 表示在n则表示在 y 方向上的第 n 阶衍射阶次；ln （包括射率。0 0k 2 / 是自由空间中的波矢大小（0 是沿 x 方向的第m 阶次的波矢大小，lz ,mk 是第 m 阶的谐波波矢大小。


本文编号：2950070