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半导体激光器驱动电路设计及环路噪声抑制分析

发布时间:2021-01-01 02:24
  为了防止驱动电流的波动会影响半导体激光器激射波长及发光功率,设计了一款具有较强抗干扰能力的半导体激光器驱动电路。该驱动电路以深度负反馈架构为核心,通过STM32控制器调节输出电流直流信号的大小以及调制波信号的频率与幅值。对整个环路进行一阶人工分析,并且结合Tina-TI仿真引入参数可调的噪声抑制网络,保证目标设置频率下环路响应能力的同时具有较强的抗干扰能力。实验表明,该激光器电流驱动电路对目标频率10倍频程以上环路噪声的抑制可达到20 dB以上,并且对目标频率的调制波响应良好,频率的输出值与设定值最大偏差为0.001 Hz,控制线性度为0.999 9,直流偏置下驱动电流2 h短期稳定度优于0.005 6%,63 h长期稳定度优于0.011%,激光器功率控制线性度为0.999 4,标准误差为0.092 87。 

【文章来源】:红外与激光工程. 2020年06期 北大核心

【文章页数】:10 页

【图文】:

半导体激光器驱动电路设计及环路噪声抑制分析


Tina-TI仿真图Fig.5Tina-TIsimulationdiagram

框图,框图,MOS管


出电流值,并在上位机进行显示。为了保证激光器运行的安全性,设计了慢启动单元,对ACC模块进行延时上电,并且在激光二极管(LaserDiode,LD)两端反向并联肖特基二极管,防止电路产生反向电流对LD造成破坏。该电路采用电源分组提供,PCB数字模拟地分开布局单点接地的方式减小相互干扰。图1整体框图Fig.1Overallblockdiagram1.2自动电流控制模块自动电流控制模块以运放和MOSFET为核心构成深度负反馈系统,如图2所示,通过采样电阻Rsample将电流值转换为电压值,该电压值作为运放U1的负输入端,设置电压作为U1的正输入端,通过比较器U1改变MOS管Q1的基极电压来控制MOS管的导通程度,从而使输出电流稳定在设定值上。其中,Rg为Q1基极的限流电阻,Rg的存在不仅有利于后面环路的分析,也为噪声抑制网络的引入提供了接口。其中,由于设置电压的交流分量较小,而直流分量由DAC提供,在0~3.3V之间,为了保证在0~110mA内的控制精度,选用30Ω,精度为0.1%,温漂系数为25ppm/℃的高精度采样电阻。首先对整个环路建立小信号简化模型,如图3所示。频率调节范围的设计目标为0~50kHz,采用带宽较宽的运放将会增加噪声抑制网络的复杂性,因此在这里采用型号为OP07CDR的运放,该款运放单位增益带宽为600kHz,压摆率为0.3V/μs,满足使用要求,MOS管Q1选取IRF540[1415]。根据OP07的数据手册,其低频主极点fpL为1Hz,高频主极点fpH为4MHz左右,开环输出电阻Ro为60Ω,以此为U1的建模依据进行建模。图3中,Rin为运放U1的输入电阻,V

原理图,电流控制,模块,原理图


出电流值,并在上位机进行显示。为了保证激光器运行的安全性,设计了慢启动单元,对ACC模块进行延时上电,并且在激光二极管(LaserDiode,LD)两端反向并联肖特基二极管,防止电路产生反向电流对LD造成破坏。该电路采用电源分组提供,PCB数字模拟地分开布局单点接地的方式减小相互干扰。图1整体框图Fig.1Overallblockdiagram1.2自动电流控制模块自动电流控制模块以运放和MOSFET为核心构成深度负反馈系统,如图2所示,通过采样电阻Rsample将电流值转换为电压值,该电压值作为运放U1的负输入端,设置电压作为U1的正输入端,通过比较器U1改变MOS管Q1的基极电压来控制MOS管的导通程度,从而使输出电流稳定在设定值上。其中,Rg为Q1基极的限流电阻,Rg的存在不仅有利于后面环路的分析,也为噪声抑制网络的引入提供了接口。其中,由于设置电压的交流分量较小,而直流分量由DAC提供,在0~3.3V之间,为了保证在0~110mA内的控制精度,选用30Ω,精度为0.1%,温漂系数为25ppm/℃的高精度采样电阻。首先对整个环路建立小信号简化模型,如图3所示。频率调节范围的设计目标为0~50kHz,采用带宽较宽的运放将会增加噪声抑制网络的复杂性,因此在这里采用型号为OP07CDR的运放,该款运放单位增益带宽为600kHz,压摆率为0.3V/μs,满足使用要求,MOS管Q1选取IRF540[1415]。根据OP07的数据手册,其低频主极点fpL为1Hz,高频主极点fpH为4MHz左右,开环输出电阻Ro为60Ω,以此为U1的建模依据进行建模。图3中,Rin为运放U1的输入电阻,V

【参考文献】:
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本文编号:2950773

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