基于忆阻器交叉阵列的离散时间FIR滤波器设计方法研究

发布时间：2021-01-04 03:37

　　忆阻器是一种具有非易失记忆性的非线性二端无源器件,在电路中的作用类似于阻值可调的电阻,其阻值只与其内部的状态有关。研究表明,忆阻器在电路中可以存储并处理数据。而FIR滤波器很容易实现线性相位,因此有研究基于忆阻器的FIR滤波器有重要意义。本文在之前研究的基础上,提出了基于忆阻器交叉阵列的FIR滤波器结构。在该结构中,FIR滤波器的系数以忆阻器阻值的形式存储在忆阻器交叉阵列中,输入信号通过开关电容电路构成的采样延时电路完成采样并生成延迟。将离散化的信号及其延迟通过忆阻器交叉阵列加权,并以级联反相加法电路构成的输出模块进行求和,即可以实现FIR滤波过程。先前研究中使用的异步采样延时电路存在序列错位和参数选择上的问题,因此能够实现的基于忆阻器的FIR滤波器长度很小。对此本文提出了同步采样延时电路,可以将输入信号以采样周期为延迟的各个滞后信号在同一时间段上完整展开,相比异步采样延时电路延迟信号之间不再发生重叠,同时可以使用同一信号进行控制,不需要将控制信号延时后进行传递,消除了控制信号的延时电路。因此解决了异步采样延迟电路在序列错位及参数选择上的难题,极大的提升了采样和滤波效果,理论上可以实现... 

【文章来源】：东南大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：115 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

四种基本电路元件之间的关系

图 2- 2 惠普实验室的忆阻器结构设参杂层的厚度为 ，非掺杂层厚度为 ，则忆阻器的阻值为：1mem on offR R RD D (2- 10)其中 和 分别是 =0 和 时忆阻器的阻值。另设：xD (2- 11)掺杂区边界迁移速度为： 2v ondxRi tdt D (2- 12)其中 是平均离子迁移率，将式(2- 12)两边积分代入式(2- 10)可以得到： (0) memR q R kq t(2- 13)

惠普忆阻器的伏安滞后曲线仿真

【参考文献】：
期刊论文
[1]一种改进的忆阻器的SPICE模型及其仿真[J]. 段宗胜,甘朝晖,王勤.  微电子学与计算机. 2012(08)
[2]第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展[J]. 蔡坤鹏,王睿,周济.  电子元件与材料. 2010(04)



本文编号：2956073