InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究
发布时间：2021-01-05 09:08
InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In0.35Ga0.65As/40 nm Al0.34Ga0.66As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度（465°C）,然后依次升高分别选取465,500,545,580°C生长AlGaAs势垒层,从而获得四个不同的多量子阱样品.通过荧光光谱以及X射线衍射测试系统分析了势垒层生长温度对InGaAs量子阱发光和质量的影响,并较准确地给出了量子阱大致的温致弛豫轨迹:465—500°C,开始出现相分离,但缺陷水平较低,属弹性弛豫阶段;500—545°C,相分离加剧并伴随缺陷水平的上升,属弹性弛豫向塑性弛豫过渡阶段;545—580°C,相分离以及缺陷水平急剧上升,迅速进入塑性弛豫阶段,尤其是580°C时,量子阱的材料质量被严重破坏.
【文章来源】：物理学报. 2017年06期 北大核心
【文章页数】：7 页
【参考文献】：
期刊论文
[1]红外探测技术在军事上的应用[J]. 王力民,张蕊,林一楠,徐世录. 红外与激光工程. 2008(S2)
[2]超长波GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器光电流谱特性研究[J]. 袁先漳,陆卫,李宁,陈效双,沈学础,资剑. 物理学报. 2003(02)
[3]GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析[J]. 李娜,袁先漳,李宁,陆卫,李志峰,窦红飞,沈学础,金莉,李宏伟,周均铭,黄绮. 物理学报. 2000(04)
本文编号：2958400
【文章来源】：物理学报. 2017年06期 北大核心
【文章页数】：7 页
【参考文献】：
期刊论文
[1]红外探测技术在军事上的应用[J]. 王力民,张蕊,林一楠,徐世录. 红外与激光工程. 2008(S2)
[2]超长波GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器光电流谱特性研究[J]. 袁先漳,陆卫,李宁,陈效双,沈学础,资剑. 物理学报. 2003(02)
[3]GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析[J]. 李娜,袁先漳,李宁,陆卫,李志峰,窦红飞,沈学础,金莉,李宏伟,周均铭,黄绮. 物理学报. 2000(04)
本文编号：2958400
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