SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真

发布时间：2021-01-10 04:13

　　通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压（30 V）的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、Si Ge材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06μm波长下,Si Ge探测器的量子效率为4.2%,相比于Si探测器的效率提高了4倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布,从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。 

【文章来源】：红外与激光工程. 2016,45(05)北大核心

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
0 引言
1 器件结构
2 结果与讨论
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]Photoelectric properties of p-β-FeSi2/n-4H-SiC heteroj unction near-infrared photodiode[J]. 郑春蕾,蒲红斌,李虹,陈治明.  Journal of Semiconductors. 2015(05)
[2]An analysis of the dynamic avalanche mechanism of an improved FCE diode with a deep p+ adjusting region[J]. 王彩琳,张磊.  Journal of Semiconductors. 2015(04)
[3]Influence of temperature on tunneling-enhanced recombination in Si based p–i–n photodiodes[J]. P.Dalapati,N.B.Manik,A.N.Basu.  Journal of Semiconductors. 2014(08)
[4]A high-speed avalanche photodiode[J]. 李彬,杨晓红,尹伟红,吕倩倩,崔荣,韩勤.  Journal of Semiconductors. 2014(07)
[5]Active quenching circuit for a InGaAs single-photon avalanche diode[J]. 郑丽霞,吴金,时龙兴,奚水清,刘斯扬,孙伟锋.  Journal of Semiconductors. 2014(04)



本文编号：2968038