P型GaP欧姆接触性质研究
发布时间：2021-01-13 21:37
以GaN、GaP、GaAs等为代表的化合物半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、漂移速度大、本征电阻率大等优点,在军事雷达、航空航天、光纤通讯、照明显示等领域应用广泛。在实际的半导体器件制作过程中,除了半导体材料本身外,常常需要在半导体的P端和N端制作合适的金属电极来传递电流信号,因此如何获得性质稳定,电阻率小的接触电极是制约半导体器件性能的因素之一。过去对GaN、GaAs等半导体的欧姆接触进行了广泛的研究,目前使用的反极性红光系列LED的P型GaP的接触电极及反射金属普遍采用金铍（AuBe）合金,AuBe不但价格昂贵,而且Be是剧毒元素,环境不友好,为了解决目前反极性红光LED存在的上述问题,本文主要研究成本、环境友好性、反射率比AuBe有优势的Ag、Cu与P型GaP如何形成欧姆接触及形成机理,主要的工作和结果如下:1、介绍了半导体材料与金属形成欧姆接触的理论机制,分析了常见的测量比接触电阻率的模型的优缺点,并据此确定了适合本实验的测量比接触电阻率的模型。2、参照主流的金属电极制作工艺,在P型磷化镓表面制作了Ag、Ni/Ag、Cu、Ni/Cu、Au、Ni/Au电极,通过退火工艺来得...
【文章来源】：闽南师范大学福建省
【文章页数】：79 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
不同前处理之后表面费米能级变化
图 1.2 退火前后表面费米能级变化[22]，接触面会产生空洞，接触面积变小，不利于欧姆接触的形镓制作的欧姆接触电极中加入镁[24]，制作的镍镁金电极在相阻率远低于镍金，AES 和 XPS 表征分析证明，镍镁固溶体中发生了相互扩散，并引起了半导体费米能级的降低。除去碱腐蚀之外，王水也是除去 P 型氮化镓面氧化层，改变表的好方法[25]。此外，对镍金电极在 P 型氮化镓表面形成欧姆镍金镓氧混合物的形成[26]，银氮化镓接触层之间增加 ITO[2、铬、镍金[30]做电极等都有相关通过退火得到欧姆接触的姆接触研究现状化镓上制作钛铂金电极[31]，研究钛铂不同厚度与欧姆接触比厚度一定时，钛厚度为 30 纳米左右时，比接触电阻率最低
a） (b图 1.3 金属电极不同温度皱缩图[31]的前处理和退火，GaAs 的表面费米能级也P 型 GaAs 材料在不同退火条件下，表征费米金[33,34]外，金锌，金锗镍[35]均可以在 GaAs
【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体发光二极管及其各领域的应用[J]. 朱式业. 科学中国人. 2016(32)
[2]p型GaAs欧姆接触性能研究[J]. 刘梦涵,崔碧峰,何新,孔真真,黄欣竹,李莎. 激光与红外. 2016(05)
[3]半导体材料在LED产业中的发展和应用[J]. 王刚,聂永烁. 电子世界. 2016(09)
[4]重回摩尔定律两大武器:EUV和三五族 成大势所趋[J]. 半导体信息. 2016(02)
[5]在不同的半导体制造技术间高效转换集成光路设计的方法[J]. A.Sosa,K.Welikow,R.Broeke,A.Bakker,D.Tsiokos,T.Tekin,N.Pleros,王博文,王杰. 集成电路应用. 2016(04)
[6]Advantech Wireless发布军用X波段氮化镓功率放大器[J]. 科信. 半导体信息. 2015(06)
[7]p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究[J]. 王英鸿. 科技创新与应用. 2015(30)
[8]纪念摩尔定律50周年[J]. 叶钟灵. 电子产品世界. 2015(08)
[9]三五族半导体将无限延长摩尔定律[J]. Geoff Taylor. 集成电路应用. 2014(11)
[10]不同退火温度对4H-SiC金半接触的影响[J]. 孙子茭,钟志亲,王姝娅,戴丽萍,张国俊. 压电与声光. 2013(03)
博士论文
[1]基于磷化铟集成波导光栅的波分复用和路由器件研究[D]. 穆鸽.浙江大学 2016
[2]磷化铟基集成光子器件及其关键工艺技术研究[D]. 王磊.浙江大学 2010
硕士论文
[1]N型GaN欧姆接触研究[D]. 曹志芳.西安电子科技大学 2013
[2]InGaN太阳能电池的建模仿真与设计[D]. 申志辉.华中科技大学 2011
[3]P型GaN欧姆接触特性研究[D]. 吕玲.西安电子科技大学 2008
[4]GaN欧姆接触及器件的研究[D]. 徐进.浙江大学 2003
本文编号：2975605
【文章来源】：闽南师范大学福建省
【文章页数】：79 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
不同前处理之后表面费米能级变化
图 1.2 退火前后表面费米能级变化[22]，接触面会产生空洞，接触面积变小，不利于欧姆接触的形镓制作的欧姆接触电极中加入镁[24]，制作的镍镁金电极在相阻率远低于镍金，AES 和 XPS 表征分析证明，镍镁固溶体中发生了相互扩散，并引起了半导体费米能级的降低。除去碱腐蚀之外，王水也是除去 P 型氮化镓面氧化层，改变表的好方法[25]。此外，对镍金电极在 P 型氮化镓表面形成欧姆镍金镓氧混合物的形成[26]，银氮化镓接触层之间增加 ITO[2、铬、镍金[30]做电极等都有相关通过退火得到欧姆接触的姆接触研究现状化镓上制作钛铂金电极[31]，研究钛铂不同厚度与欧姆接触比厚度一定时，钛厚度为 30 纳米左右时，比接触电阻率最低
a） (b图 1.3 金属电极不同温度皱缩图[31]的前处理和退火，GaAs 的表面费米能级也P 型 GaAs 材料在不同退火条件下，表征费米金[33,34]外，金锌，金锗镍[35]均可以在 GaAs
【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体发光二极管及其各领域的应用[J]. 朱式业. 科学中国人. 2016(32)
[2]p型GaAs欧姆接触性能研究[J]. 刘梦涵,崔碧峰,何新,孔真真,黄欣竹,李莎. 激光与红外. 2016(05)
[3]半导体材料在LED产业中的发展和应用[J]. 王刚,聂永烁. 电子世界. 2016(09)
[4]重回摩尔定律两大武器:EUV和三五族 成大势所趋[J]. 半导体信息. 2016(02)
[5]在不同的半导体制造技术间高效转换集成光路设计的方法[J]. A.Sosa,K.Welikow,R.Broeke,A.Bakker,D.Tsiokos,T.Tekin,N.Pleros,王博文,王杰. 集成电路应用. 2016(04)
[6]Advantech Wireless发布军用X波段氮化镓功率放大器[J]. 科信. 半导体信息. 2015(06)
[7]p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究[J]. 王英鸿. 科技创新与应用. 2015(30)
[8]纪念摩尔定律50周年[J]. 叶钟灵. 电子产品世界. 2015(08)
[9]三五族半导体将无限延长摩尔定律[J]. Geoff Taylor. 集成电路应用. 2014(11)
[10]不同退火温度对4H-SiC金半接触的影响[J]. 孙子茭,钟志亲,王姝娅,戴丽萍,张国俊. 压电与声光. 2013(03)
博士论文
[1]基于磷化铟集成波导光栅的波分复用和路由器件研究[D]. 穆鸽.浙江大学 2016
[2]磷化铟基集成光子器件及其关键工艺技术研究[D]. 王磊.浙江大学 2010
硕士论文
[1]N型GaN欧姆接触研究[D]. 曹志芳.西安电子科技大学 2013
[2]InGaN太阳能电池的建模仿真与设计[D]. 申志辉.华中科技大学 2011
[3]P型GaN欧姆接触特性研究[D]. 吕玲.西安电子科技大学 2008
[4]GaN欧姆接触及器件的研究[D]. 徐进.浙江大学 2003
本文编号：2975605
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