Mo掺杂Mn 4 Si 7 的光电性质的第一性原理计算

发布时间：2021-01-14 16:42

　　采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,计算了Mn₄Si₇及Mo掺杂Mn₄Si₇的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn₄Si₇的禁带宽度E_g=0.804 e V,Mo掺杂Mn₄Si₇的禁带宽度E_g=0.636 e V。掺杂使得Mn₄Si₇费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄。计算还表明Mo掺杂Mn₄Si₇使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加。 

【文章来源】：人工晶体学报. 2020,49(01)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 建立模型与计算方法
    1.1 建立理论模型
    1.2 计算方法
2 计算结果分析
    2.1 电子结构
        2.1.1 能带结构
        2.1.2 电子态密度
    2.2 光学性质
        2.2.1 复介电函数
        2.2.2 复折射率
        2.2.3 吸收谱和反射谱
        2.2.4 复光电导率
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]Ge取代P型高锰硅合金的晶粒细化及其热电性能[J]. 樊东晓,姜广宇,戴春俊,谢涵卉,朱铁军,赵新兵.  材料科学与工程学报. 2012(03)
[2]光吸收介质的吸收系数与介电函数虚部的关系[J]. 樊洁平,刘惠民,田强.  大学物理. 2009(03)
[3]光电导效应及其应用探究[J]. 彭文胜,王建中.  高等函授学报(自然科学版). 2007(06)
[4]快速凝固和热压高锰硅的微观结构和热电性能[J]. 刘晓虎,赵新兵,倪华良,陈海燕.  功能材料与器件学报. 2004(02)

硕士论文
[1]p型掺杂高锰硅化合物的制备及热电性能[D]. 林泽冰.武汉理工大学 2012



本文编号：2977189