p型4H-SiC同质外延有效层厚度

发布时间：2021-01-16 04:40

　　通过化学气相沉积法,采用不同生长工艺在4°偏角4H-SiC衬底上制备p型4H-SiC同质外延片。提出了p型4H-SiC同质外延中有效层厚度的概念,研究发现导致外延有效层厚度减少的直接原因是自掺杂效应的存在。采用傅里叶红外光谱仪（FT-IR）、汞探针电容电压（Hg-CV）和表面缺陷测试仪对p型4H-SiC同质外延片进行表征,讨论了不同工艺对外延有效层厚度的影响。结果表明,采用隔离法和阻挡层法均能提高外延有效层厚度,且掺杂浓度随距表面深度变化斜率值由1.323减小到0.073。然而,阻挡层法斜率值能进一步优化至0.050,是由于有效抑制了外延中固相和气相自掺杂。对比于优化前工艺,采用阻挡层法制备的p型4H-SiC同质外延片厚度不均匀性和表面总缺陷数量处于同一水平,掺杂浓度不均匀性由2.95%改善到2.67%。综上,采用阻挡层法能够制备出高有效层厚度、高一致性和高质量的p型4H-SiC同质外延片。 

【文章来源】：微纳电子技术. 2020,57(04)北大核心

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验方法
2 结果与讨论
    2.1 自掺杂效应
    2.2 不同工艺对外延有效层厚度的影响
    2.3 表面缺陷
    2.4 不同工艺对外延层不均匀性的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]生长温度对4HN-SiC同质外延层表面缺陷的影响[J]. 赵丽霞,张国良.  微纳电子技术. 2019(05)
[2]超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长[J]. 孙国胜,张新和,韩景瑞,刘丹.  电力电子技术. 2017(08)
[3]用于高压快恢复二极管的200mm硅外延材料的生长[J]. 张志勤,吴会旺,袁肇耿,赵丽霞.  半导体技术. 2017(02)
[4]外延淀积过程中的自掺杂抑制[J]. 李智囊,侯宇.  微电子学. 2003(02)



本文编号：2980170