大面积MoTe 2 的相控制制备及MoTe 2-x O x /MoTe 2 异质结在忆阻器方向的应用

发布时间：2021-01-18 07:35

　　自从石墨烯在2004年被发明以来,二维材料以其优异的结构和性能逐渐受到人们的关注。忆阻器作为一种新型的电子器件在2008年也第一次被惠普公司发明。忆阻器,由于其电阻状态是随施加电压的变化而改变,可以用在神经模拟、数据存储、逻辑运算等方向。因此,将这两个前沿方向结合在一起研究,具有很重要的意义。本文主要探索新型二维材料MoTe₂在忆阻器方面上的应用,主要研究内容如下:（1）通过前驱体MoO₃的厚度来制备大面积的MoTe₂薄膜和MoTe_2-xO_x/MoTe₂异质结,这种方法只需控制MoO₃的厚度,其余外部条件都相同。结果是薄的MoO₃产生1T’相MoTe₂,随着MoO₃厚度的增加,薄膜中逐渐出现2H相,当MoO₃厚度是25 nm时,1T’相MoTe₂就全部变成了2H相MoTe₂。（2）研究两种相MoTe

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【部分图文】：

中国半导体市场的规模及增长

2华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文图1.2 中国半导体市场的应用结构Fig.1.2 The applied structure about Chinese semiconductor market自从英国科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫在2004年利用胶带剥离方法从石墨片中得到石墨烯以来，二维材料的研究受到越来越多人的关注，这两人也因他们的杰出贡献而获得2010年诺贝尔物理奖[2]。其中，二维过渡金属硫族化合物（TMDs）因为其独特的结构和性能，在多个领域都有着广泛的应用前景，例如半导体光电器件、生物医学和能源催化等领域。忆阻器，作为一种新型的非线性电子元器件，近年来也受到科研工作者的普遍关注。它的电阻值并不是恒定不变的，而是随着电压的变化而改变。忆阻器主要有以下三个用途：数据存储、逻辑运算和神经模拟[3]。其中神经模拟主要是利用忆阻器的电流特性来模仿生物的神经突触，可以用来模仿人类的学习记忆、忘记等行为，这是在硬件上来进行人工智能。相比于如今利用计算机代码进行人工智能，会在硬件上简化很多

但是石墨烯没有能带间隙，这限制了石墨烯在晶体管（FET）上的应用。图1.3 石墨烯结构图Fig.1.3 The structure of graphene1.2.2 MoS2二维过渡金属硫族化合物（TMDs）是一种类似于石墨烯的二维层状材料，其化学成分可以写成MX2，其中M指的是过渡金属元素（如Mo、W等），X指的是S族元素（如S、Se、Te等）。每一个TMD单层是由三层原子组成，其结构类似于一个三明治结构。TMDs的独特结构，使得TMDs可以形成不同的晶体结构。以MoS2为例，如图所示，MoS2具有4种不同的晶体结构。根据Mo原子和S原子的配位方式和堆叠顺序

【参考文献】：
期刊论文
[1]2018中国半导体市场年会引领芯时代,把握芯机遇,共谋芯发展[J]. 孙远峰,张磊.  集成电路应用. 2018(05)



本文编号：2984552