SiO 2 /4H-SiC界面氮化退火

发布时间：2021-01-18 20:32

　　通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数。制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数。实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012cm-2·e V^-1@0.2 e V,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V^-1·s^-1。 

【文章来源】：半导体技术. 2017,42(03)北大核心

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：2985621