当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断

发布时间:2021-01-20 22:23
  在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入的信息。建立合适的分层模型,应用基于马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法的最大后验估计(MAP),求取目标量的后验分布。这类算法为目前概率与统计领域的最高级算法。将该先进算法引入到IC领域来分析处理所获取的大数据是后摩尔时代的一个发展方向。 

【文章来源】:微电子学. 2020,50(05)北大核心

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断


MOS器件的Ids-Vgs曲线

曲线,拟合,据点,置信区间


使用MAP函数对数据点进行线性拟合的曲线


本文编号:2989895

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2989895.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户d9c4b***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com