InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化

发布时间：2021-01-23 12:46

　　为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In（1-x）GaxAsyP（1-y）量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在势阱层组分为In_0.76Ga_0.24As_0.81P_0.19,厚度为5nm;势垒层组分为In_0.751Ga_0.249As_0.539P_0.461,厚度为10nm时,激光器的各项性能参数达到最优。在此基础上,研究量子阱个数对激光器平均载流子浓度、输出光功率和阈值电流的影响。采用ALDS软件进行仿真,对比量子阱个数分别为5、6、7、8、9、10、11时,激光器的各项输出参数。对不同量子阱个数的激光器,分别进行结构和材料求解,并进行阈值、稳态、分布和光谱、小信号以及噪声分析。仿真结果表明,当量子阱个数为8时,在偏置电流为150mA,激光器温度为300K情况下,激光器的平均... 

【文章来源】：激光杂志. 2017,38(05)北大核心

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 原理
    1.1 量子阱个数对载流子浓度的影响
    1.2 量子阱个数对激光器性能参数的影响
2 结构设计与组分选取
3 理论分析
4 仿真结果分析
5 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：2995238