基于二硫化钼异质结的光电探测器研究

发布时间：2021-01-28 12:00

　　在光电探测领域,二维过渡金属硫化物材料具有开关比高、载流子迁移率高等优点,但其吸收带窄,且目前还无法在工业上大量的制备高质量的二维材料。与无机的二维材料相比,有机材料的光吸收谱较宽,制备简单。并且有机材料可以通过修饰各种官能团来变换不同的电学和光学性质,与无机二维材料组合成异质结可以显著提高器件的功能性。此外,在有机导电聚合物的分子结构中通常存在大量的共轭π键,这使得通过范德华力与二硫化钼的相互作用形成类似于无机范德瓦尔斯异质结的二维界面成为可能。在二维材料的表面上,形成有序的分子结构,利用范德华力在有机分子与二维无机材料之间形成有机-无机范德瓦尔斯异质结。本文以基于二硫化钼的光电探测器的制备和表征为研究对象,通过有机物和有机物/石墨烯两种结构与二硫化钼组合形成范德瓦尔斯异质结光电探测器,研究器件的光电探测性能。制备器件主要采用机械剥离方法、紫外光刻、电子束光刻、热蒸发镀膜、等离子体刻蚀、湿法转移石墨烯、干法转移二硫化钼的工艺制作器件。器件性能的主要研究结果如下:（1）二硫化钼-有机半导体异质结光电探测器中二硫化钼的截止波长在808纳米附近,酞菁铅薄膜在400 nm至1000 nm具有... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：64 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

目前发现的二维材料分类[1]

为石墨烯结构示意图[2]

TMDs结构[10-12]

【参考文献】：
期刊论文
[1]有机-无机范德瓦尔斯异质结界面的光电过程[J]. 付少华,秦靓,张小娴,王瑞,唐东升,裘晓辉.  科学通报. 2019(04)



本文编号：3004959