碲化锗场效应晶体管的制备及电学性能

发布时间：2021-02-09 17:38

　　采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗（GeTe）纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于二维碲化锗（2D-GeTe）纳米材料的场效应晶体管（FET）,并测定了其电学性能.结果表明,剥离所得GeTe纳米材料具有良好的结晶性,光学带隙为1.98 eV,属于p型半导体;该场效应晶体管展现出了6.4 cm2·V-1·s-1的载流子迁移率和670的开关电流比的良好电学性能. 

【文章来源】：高等学校化学学报. 2020,41(09)北大核心

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【文章目录】：
1 实验部分
    1.1 试剂与仪器
    1.2 样品制备
    1.3 电学性能测试
2 结果与讨论
    2.1 XRD分析
    2.2 微观形貌分析
    2.3 拉曼散射和光学带隙分析
    2.4 场效应晶体管电学性能
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]化学气相沉积法制备InSe纳米片及其近红外光探测性能[J]. 黄文娟,候华毅,陈相柏,翟天佑.  高等学校化学学报. 2020(04)
[2]制备条件对MXene形貌、结构与电化学性能的影响[J]. 陈耀燕,赵昕,王哲,董杰,张清华.  高等学校化学学报. 2019(06)



本文编号：3025991