基于FA/OⅡ螯合剂的复配清洗液去除Cu-BTA的研究
发布时间:2021-02-11 16:15
在减少清洗液对晶圆表面腐蚀的前提下,尽可能地去除表面残留的苯并三唑(BTA)是Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗的研究重点。选择了两种非离子表面活性剂聚乙二醇辛基苯基醚(Triton X-100)和脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-20)与质量分数为0.02%的FA/OⅡ螯合剂复配成碱性清洗剂,研究其对Cu表面BTA的去除效果,对其作用机理进行了分析。接触角和电化学测试结果表明,两种清洗剂均改善了Cu表面Cu-BTA的去除效果。其中FA/OⅡ螯合剂与质量分数为0.22%的Triton X-100复配清洗Cu表面后,接触角降为37.75°,腐蚀电流密度增大到2.424×10-6 A/cm2;与质量分数为0.25%的AEO-20复配清洗Cu表面后,接触角降为32.5°,腐蚀电流密度增大到2.657×10-6 A/cm2;当AEO-20与FA/OⅡ复配清洗液pH值为10.5时,几乎不影响BTA的去除效果,但Cu表面的粗糙度降至5.59 nm。
【文章来源】:半导体技术. 2020,45(10)北大核心
【文章页数】:8 页
【文章目录】:
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
2.1 复配FA/OⅡ螯合剂和Triton X-100对BTA的去除效果
2.1.1 接触角测量分析
2.1.2 电化学测试分析
2.2 复配 FA/O Ⅱ螯合剂和AEO-20对BTA的去除效果
2.2.1 接触角测量分析
2.2.2 电化学测试分析
2.3 FA/O Ⅱ螯合剂和AEO-20复配清洗液的pH值优化
2.4 表面活性剂作用机理分析
3 结论
【参考文献】:
期刊论文
[1]Effect of organic amine alkali and inorganic alkali on benzotriazole removal during post Cu-CMP cleaning[J]. Liu Yang,Baimei Tan,Yuling Liu,Baohong Gao,Yilin Liu,Chunyu Han,Qi Wang,Siyu Tian. Journal of Semiconductors. 2018(12)
[2]新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除[J]. 杨柳,刘玉岭,檀柏梅,高宝红,刘宜霖. 电子元件与材料. 2018(05)
[3]碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理[J]. 高宝红,檀柏梅,车佳漭,刘宜霖,杨柳,刘玉岭. 半导体技术. 2018(04)
硕士论文
[1]GLSI铜布线CMP后清洗碱性清洗液的研究[D]. 邓海文.河北工业大学 2016
本文编号:3029376
【文章来源】:半导体技术. 2020,45(10)北大核心
【文章页数】:8 页
【文章目录】:
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
2.1 复配FA/OⅡ螯合剂和Triton X-100对BTA的去除效果
2.1.1 接触角测量分析
2.1.2 电化学测试分析
2.2 复配 FA/O Ⅱ螯合剂和AEO-20对BTA的去除效果
2.2.1 接触角测量分析
2.2.2 电化学测试分析
2.3 FA/O Ⅱ螯合剂和AEO-20复配清洗液的pH值优化
2.4 表面活性剂作用机理分析
3 结论
【参考文献】:
期刊论文
[1]Effect of organic amine alkali and inorganic alkali on benzotriazole removal during post Cu-CMP cleaning[J]. Liu Yang,Baimei Tan,Yuling Liu,Baohong Gao,Yilin Liu,Chunyu Han,Qi Wang,Siyu Tian. Journal of Semiconductors. 2018(12)
[2]新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除[J]. 杨柳,刘玉岭,檀柏梅,高宝红,刘宜霖. 电子元件与材料. 2018(05)
[3]碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理[J]. 高宝红,檀柏梅,车佳漭,刘宜霖,杨柳,刘玉岭. 半导体技术. 2018(04)
硕士论文
[1]GLSI铜布线CMP后清洗碱性清洗液的研究[D]. 邓海文.河北工业大学 2016
本文编号:3029376
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3029376.html