化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

发布时间：2021-02-12 17:27

　　本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法（CVD）制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞和微裂纹、夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征。结合国内外文献和检测结果,对各类缺陷可能的产生机理及抑制方法进行了阐述与分析。 

【文章来源】：人工晶体学报. 2020,49(01)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 反应机理
2 缺陷的种类及产生机理分析
    2.1 云雾
    2.2 孔洞和微裂纹
    2.3 夹杂
    2.4 分层
    2.5 胞状物
3 小结


【参考文献】：
期刊论文
[1]CVD-ZnS胞状生长现象抑制方法[J]. 杨德雨,杨海,李红卫,霍承松,魏乃光,黎建明,李冬旭,史晶晶.  红外与激光工程. 2018(11)
[2]化学气相沉积制备块体ZnS缺陷综述[J]. 杨德雨,杨海,李红卫,霍承松,魏乃光,黎建明,杨建纯,李冬旭,张鹏飞.  硅酸盐通报. 2017(S1)
[3]红外材料硒化锌制备方法的研究进展[J]. 于金凤,吴广杰,朱刘.  广东化工. 2017(16)
[4]热等静压处理对CVD ZnS/ZnSe复合材料性质的影响[J]. 崔洪梅,滕祥红,钱纁,肖红涛,张旭.  人工晶体学报. 2011(06)
[5]化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶[J]. 杨曜源,方珍意,蔡以超,王向阳,张力强,肖红涛,田鸿昌,东艳萍,李卫,郝永亮.  硅酸盐学报. 2004(08)
[6]CVD法生长ZnSe的工艺分析[J]. 王向阳,方珍意,蔡以超,张力强,肖红涛.  人工晶体学报. 2004(02)
[7]用化学气相沉积（CVD）法制备硫化锌（ZnS）体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究[J]. 闫泽武,王和明,蔡以超,杨耀源,东艳苹,范志达.  人工晶体学报. 2002(02)



本文编号：3031209