一种基于JFET差分输入对的电压基准源设计
发布时间：2021-02-18 08:17
采用4μm 40 V BJT商用工艺设计了一种基于JFET差分输入对的2.5 V电压基准源.内部结构包括JFET差分输入对、恒流源、PTAT电流源、运放、电阻分压器、短路保护.仿真结果表明本设计能够满足5 V～30 V宽电压范围、车规级温度范围应用,并具有低噪声、低温漂、低温度非线性等卓越性能.
【文章来源】：微电子学与计算机. 2020,37(04)北大核心
【文章页数】：6 页
【部分图文】：
IPTAT电流沉电路
在5 V～30 V电源电压范围,典型工艺角下,得到-40～125℃范围内,IPTAT电流沉的温度系数仿真曲线如图7所示:由上图可以看出,IPTAT电流沉在-40～125 ℃温度范围内呈现线性正温度系数,斜率约为3000 ppm/℃.
在5 V～30 V电源电压范围,典型工艺角下,得到-40～125℃范围内,电压基准的温度系数仿真曲线如图8所示:由上图可知,当电源电压在5 V～30 V范围内变化,温度在-40～125℃范围内变化时,电压基准在2.499 V～2.500 75 V范围内变化,此仿真结果因考虑了电阻的温度系数、电压系数,与常温推算时忽略近似得到的2.499 V有一定差异,但在设计容差范围内,满足2.5 V±1 mV精度设计指标要求.
【参考文献】：
期刊论文
[1]一种低温度系数高电源抑制比带隙基准[J]. 奚冬杰,杜士才. 电子与封装. 2017(12)
本文编号：3039300
【文章来源】：微电子学与计算机. 2020,37(04)北大核心
【文章页数】：6 页
【部分图文】：
IPTAT电流沉电路
在5 V～30 V电源电压范围,典型工艺角下,得到-40～125℃范围内,IPTAT电流沉的温度系数仿真曲线如图7所示:由上图可以看出,IPTAT电流沉在-40～125 ℃温度范围内呈现线性正温度系数,斜率约为3000 ppm/℃.
在5 V～30 V电源电压范围,典型工艺角下,得到-40～125℃范围内,电压基准的温度系数仿真曲线如图8所示:由上图可知,当电源电压在5 V～30 V范围内变化,温度在-40～125℃范围内变化时,电压基准在2.499 V～2.500 75 V范围内变化,此仿真结果因考虑了电阻的温度系数、电压系数,与常温推算时忽略近似得到的2.499 V有一定差异,但在设计容差范围内,满足2.5 V±1 mV精度设计指标要求.
【参考文献】：
期刊论文
[1]一种低温度系数高电源抑制比带隙基准[J]. 奚冬杰,杜士才. 电子与封装. 2017(12)
本文编号：3039300
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3039300.html
