高压下SnSe纳米片结构和电输运性质的研究

发布时间：2021-02-25 11:11

　　半导体材料和拓扑绝缘态材料是如今科研领域的热门材料,主要由于它们在高压下的新性质和新结构,引发了人们的高度关注。SnSe是IV-VI族化合物中极具代表性的窄带隙P型半导体材料之一,在常温常压下,SnSe结晶是空间群为Pnma的具有对称性的层状正交结构。由于它的物理化学性质比较独特,通常应用在记忆功能开关设备、红外探测器以及太阳能电池阳极材料等领域。近年来,发现大多数人研究的SnSe都为体材料,研究了不同条件下SnSe的物理性质及结构等,虽然也有少量关于纳米材料SnSe的报道,但也只限于对纳米材料SnSe的合成、结构稳定性及光谱性质的研究。然而,纳米材料SnSe是否能像体材料SnSe一样,在高压条件下发生由半导体特性向半金属特性的转变还不得而知。因此本文以SnSe纳米片为研究对象,利用高压同步辐射X射线衍射、基于金刚石对顶砧（DAC）装置的高压原位直流电阻率和变温电阻率的测量,对SnSe纳米片的高压结构相变和电输运性质变化进行了探索。研究结果如下:一、利用同步辐射高压X光衍射技术,并结合GSAS精修,研究了高压下SnSe纳米片的结构变化。随着压力增大到7.2GPa,SnSe纳米片发生了由... 

【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：56 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
中文摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 SnSe概况及研究背景
    1.2 SnSe高压电输运性质研究意义
    1.3 论文的选题目的和意义
    1.4 论文各部分的主要内容
第二章 高压实验装置与技术
    2.1 高压实验装置
        2.1.1 金刚石对顶砧
        2.1.2 压力标定及传压介质
        2.1.3 密封垫片的选择及绝缘垫片的制作
    2.2 金刚石对顶砧上电极的集成
        2.2.1 电极的集成
        2.2.2 样品填装
    2.3 高压电学测量方法
        2.3.1 范德堡法测量直流电阻率
        2.3.2 高压原位变温电阻率
    2.4 高压X射线衍射
    2.5 本章小结
第三章 高压下SnSe纳米片的结构相变研究
    3.1 SnSe纳米片样品信息
    3.2 SnSe纳米片的高压同步辐射实验及结构分析
    3.3 本章小结
第四章 高压下SnSe纳米片的电输运性质研究
    4.1 常温条件下SnSe纳米片高压直流电学性质研究
        4.1.1 电极导电性能测试
        4.1.2 SnSe纳米片的直流电阻率测量
    4.2 变温条件下SnSe纳米片高压直流电阻率研究
    4.3 SnSe纳米片样品卸压后的TEM表征
    4.4 本章小结
第五章 总结和展望
    5.1 总结
    5.2 展望
参考文献
作者简介及科研成果
致谢


【参考文献】：
期刊论文
[1]金刚石对顶砧上样品厚度的测量方法[J]. 李明,李立新,杨伍明,赵晓霞.  河南理工大学学报(自然科学版). 2009(03)
[2]同步辐射——世纪新光源[J]. 吴自玉.  科学中国人. 2002(08)
[3]百万大气压下的压强校准及5.5 Mbar静压强的获得[J]. 徐济安,毛河光,P.M.Bell.  物理学报. 1987(04)

博士论文
[1]高压下AlAs、SnSe及GeTe的结构和电输运性质研究[D]. 闫杰娟.吉林大学 2016
[2]SnS、SnSe、SnSxSe1-x低维纳米结构的制备及高压物性研究[D]. 张健.吉林大学 2016
[3]高压下SnS，SnTe，In2Se3及Alq3的结构和电输运性质研究[D]. 柯峰.吉林大学 2015
[4]高压下化合物半导体的电输运性质研究[D]. 张俊凯.吉林大学 2014

硕士论文
[1]高压下LiFePO4的结构和电输运性质研究[D]. 王宇飞.吉林大学 2017
[2]高压下In2O3的电输运性质与结构研究[D]. 侯洁白.吉林大学 2016
[3]几种常用传压介质的静水压性及其对状态方程测量的影响[D]. 柳雷.中国工程物理研究院 2008



本文编号：3050881