钴铁硼/半导体异质结构磁各向异性研究

发布时间：2021-02-28 12:48

　　在近几十年来,信息技术一直遵循着摩尔定律,即在一个芯片上的晶体管数目每两年增长一倍,但是传统的电子器件由于量子效应和热效应的存在达到了极限。而伴随着纳米技术的进步,自旋电子学将有可能确保摩尔定律在未来的实现。在自旋电子学中,在一个电路中起作用的并不仅仅是电荷电流,还有电子本身的自旋状态。自旋量子器件则被认为有可能实现在数据存储和处理中的高灵活性、高稳定性和低能耗性,而且自旋电子器件已经被广泛应用于高密度数据存储、磁传感器以及量子计算机等诸多领域。而在新一代自旋电子学的发展中,铁磁材料/半导体材料异质结构的研究占据了重要位置。就目前已有的研究来说,绝大部分工作是将分子束外延生长与各种纳米制造技术结合,对诸如：1.在铁磁/半导体界面引入超薄过渡层,调节势垒高度,提高自旋注入效率；2.材料的尺寸效应对自旋相干长度的影响；3.半导体表面重构对外延磁性薄膜的晶体对称性及其磁性的影响；4.电控磁技术在铁磁/半导体磁性隧道结中的实现；5.光场对自旋的调控等热点领域进行研究,并取得了丰硕的成果。本文的主要创新点在于：采用了磁控溅射技术,分别在GaN衬底和InAs衬底上生长非晶铁磁性薄膜CoFeB,使得... 

【文章来源】：南京大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：64 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第1章 绪论
    1.1 引言
    1.2 铁磁/半导体异质结构研究现状
    1.3 本论文应用材料性质
        1.3.1 非晶铁磁性材料钴铁硼
        1.3.2 氮化镓衬底
        1.3.3 砷化铟衬底
    1.4 本论文工作
    参考文献
第2章 实验仪器及测试原理
    2.1 引言
    2.2 磁控溅射仪
        2.2.1 直流磁控溅射法
        2.2.2 中频磁控溅射法
        2.2.3 射频磁控溅射法
        2.2.4 本论文使用仪器
    2.3 原子力显微镜
    2.4 振动样品磁强计
    2.5 输运测量系统
    参考文献
第3章 CoFeB/GaN异质结构性质研究
    3.1 引言
    3.2 样品制备
    3.3 样品测量结果与分析
        3.3.1 样品表面形貌表征与分析
        3.3.2 样品磁学性能测量与分析
        3.3.3 探究性比较实验
    3.4 本章小结
    参考文献
第4章 CoFeB/InAs异质结构性质研究
    4.1 引言
    4.2 样品制备
        4.2.1 样品表面酸处理条件摸索
        4.2.2 样品制备流程
    4.3 样品测量结果与分析
        4.3.1 样品表面形貌表征与分析
        4.3.2 样品磁学性能分析
        4.3.3 样品电学性能分析
    4.4 本章小结
    参考文献
论文工作总结和展望
硕士期间学术成果
致谢


【参考文献】：
期刊论文
[1]InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析[J]. 胡炜杰,赵有文,段满龙,王应利,王俊.  人工晶体学报. 2010(04)



本文编号：3055874