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硝化纤维素膜去除技术研究

发布时间:2021-03-04 13:56
  防离子反馈微通道板过渡载膜的去除对其性能和质量有重要影响。本文分析讨论和实验研究了硝化纤维素膜的去除技术。采用氢气保护热处理和紫外辐照法去除硝化纤维素过渡载膜,使用XPS、体电阻和电流增益测试分析了处理过程中的表面成分和性能变化,讨论了硝化纤维素膜成分去除和微通道板性能保持的问题。认为氢气保护热处理和紫外辐照能有效去除硝化纤维素膜成分。 

【文章来源】:红外技术. 2020,42(04)北大核心

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

硝化纤维素膜去除技术研究


微通道板输入面表面结构Fig.1Surfacestructureofinputsurfaceofmicro-channelplate

氢气,样品,元素,刻蚀


第42卷第4期Vol.42No.42020年4月李相鑫等:硝化纤维素膜去除技术研究Apr.2020401的影响。Al元素可作为氧化铝膜的标志元素,反映防离子反馈膜在去除过程中的变化。氢气保护热处理后样品XPS如图2所示。可知,经氢气保护热处理以后,碳含量在刻蚀初期(刻蚀时间<50s)即迅速下降至5%以下;在此刻蚀深度范围内,Cr和Ni元素含量迅速上升。从刻蚀初期的XPS图谱来看,Cr元素趋于平稳后,C元素已下降至相对含量2%,这表明经氢气保护热处理后,C元素在电极层深度以外即被控制在微通道板本征含量范围(相对含量1.5%)以内,可认为氢气保护热处理有效实现了硝化纤维素膜成分的去除。Al元素在氢气保护热处理以后,在刻蚀过程中相对含量保持稳定在3%以下。制备态样品XPS如图3所示,可知Al元素在一定刻蚀深度范围内,其相对含量可保持在10%以上。由此可知,在氢气保护热处理过程中,Al元素相对含量发生了变化,这可能是Al元素和电极层的Cr和Ni元素发生了互扩散,在热处理条件下,成分扩散是不可避免的。图2氢气保护热处理后样品XPSFig.2X-rayphotoelectronspectroscopyofsamplesafterhydrogenprotectionheattreatment图3制备态样品XPSFig.3X-rayphotoelectronspectroscopyofpreparedsamples由图4可知,紫外辐照后,C元素的相对含量在刻蚀初期即下降到了0.3%以下,并始终保持在此含量以内,随刻蚀深度增加,Ni元素含量趋于平稳,表明刻蚀已进入电极层深度范围内。C元素相对含量随刻蚀深度的变化规律表明,紫外辐照过程有效地去除了硝化纤维素成分。图4紫外辐照后XPSFig.4X-rayphotoelectronspectrosco

辐照,元素,刻蚀


讨邢喽院?勘3治榷ㄔ?3%以下。制备态样品XPS如图3所示,可知Al元素在一定刻蚀深度范围内,其相对含量可保持在10%以上。由此可知,在氢气保护热处理过程中,Al元素相对含量发生了变化,这可能是Al元素和电极层的Cr和Ni元素发生了互扩散,在热处理条件下,成分扩散是不可避免的。图2氢气保护热处理后样品XPSFig.2X-rayphotoelectronspectroscopyofsamplesafterhydrogenprotectionheattreatment图3制备态样品XPSFig.3X-rayphotoelectronspectroscopyofpreparedsamples由图4可知,紫外辐照后,C元素的相对含量在刻蚀初期即下降到了0.3%以下,并始终保持在此含量以内,随刻蚀深度增加,Ni元素含量趋于平稳,表明刻蚀已进入电极层深度范围内。C元素相对含量随刻蚀深度的变化规律表明,紫外辐照过程有效地去除了硝化纤维素成分。图4紫外辐照后XPSFig.4X-rayphotoelectronspectroscopyofsamplesafterultravioletirradiation在到达一定刻蚀深度范围(刻蚀时间≥100s),Cr和Ni元素相对含量逐渐升高,Al元素相对含量逐渐下降,待Ni元素相对含量趋于稳定后,Al元素相对含量也趋近于不可侦测。这说明在电极层深度范围内,Al元素相对含量极低,表明紫外辐照过程中,没有发生明显的成分扩散过程。显然,这因为紫外辐照是在室温下进行,未有足够的能量支持元素的互扩散。在一定的刻蚀深度范围(刻蚀时间0~200s)内,O元素相对含量稳定保持在50%以上;如图3所示,在一定的深度范围内,制备态样品的O元素相对含量保持在25%以下,这表明在紫外辐照过程中,环境中氧元素富集到了微通道板输入端表面,微通道板表

【参考文献】:
期刊论文
[1]含氮量、温度、有机溶剂对硝化纤维素溶液特性黏度的影响[J]. 黄小锐,罗庆平,李兆乾,祁栋梁,朱娟.  西南科技大学学报. 2018(04)
[2]微通道板表面碳污染的去除[J]. 蔡华,曹振博,李方骏,薄铁柱,李庆,徐滔,王彩丽,刘辉.  中国建材科技. 2017(01)
[3]微通道板铅硅酸盐玻璃表面纳米尺度的形貌(英文)[J]. 黄永刚,顾真安,张洋,刘辉,李国恩.  硅酸盐学报. 2012(07)
[4]酸蚀对微通道板电性能的影响[J]. 孙忠文,黄永刚,贾金升,黄英,刘淑慈,刘辉,李国恩.  应用光学. 2008(02)
[5]微通道板玻璃的电阻率[J]. 蔡春平,高秀敏.  应用光学. 1997(02)
[6]微通道板次级电子发射层中各元素随深度的分布[J]. 韦亚一,陶兆民.  真空科学与技术. 1991(06)

博士论文
[1]微通道板电性能及其导电机制研究[D]. 黄永刚.中国建筑材料科学研究总院 2014

硕士论文
[1]MCP防离子反馈膜背散射电子特性研究[D]. 焦宇鹏.长春理工大学 2014
[2]基于真空除气的微通道板噪声抑制技术研究[D]. 聂晶.西安工业大学 2013
[3]微通道板离子壁垒膜的进一步研究[D]. 房立峰.长春理工大学 2011



本文编号:3063334

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