LDD注入工艺对40nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化
发布时间：2021-03-05 07:32
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化。分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响。测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果。利用TCAD工具,模拟了LDD注入工艺的优化对掺杂形貌、电场分布和碰撞电离强度的影响。分析了HCI-GIDL效应得以优化的物理机制。
【文章来源】：微电子学. 2020,50(05)北大核心
【文章页数】：5 页
【部分图文】：
HCI效应示意图
在Sentaurus TCAD工具中,设置LDD注入倾角分别为小、中、大,注入能量分别为A、B、C (C>B>A)。通过排列组合进行仿真。3种注入能量、3种注入角度时的Iboff-Isub关系如图4所示。可以看出,在能量A、大倾角LDD注入方式下,Iboff和Isub大幅减小,两种效应均获得改善。在实际流片中,原工艺为垂直注入,改良工艺为大倾角注入。大倾角注入时的Iboff-Isub趋势如图5所示。可以看出,相比于无倾角注入方式,大倾角注入方式(即改良工艺)的Iboff-Isub趋势向原点方向漂移。
在实际流片中,原工艺为垂直注入,改良工艺为大倾角注入。大倾角注入时的Iboff-Isub趋势如图5所示。可以看出,相比于无倾角注入方式,大倾角注入方式(即改良工艺)的Iboff-Isub趋势向原点方向漂移。图5 大倾角注入时的Iboff -Isub趋势
【参考文献】：
博士论文
[1]新型MOSFET器件结构设计、建模及特性模拟[D]. 郑长勇.安徽大学 2015
本文编号：3064825
【文章来源】：微电子学. 2020,50(05)北大核心
【文章页数】：5 页
【部分图文】：
HCI效应示意图
在Sentaurus TCAD工具中,设置LDD注入倾角分别为小、中、大,注入能量分别为A、B、C (C>B>A)。通过排列组合进行仿真。3种注入能量、3种注入角度时的Iboff-Isub关系如图4所示。可以看出,在能量A、大倾角LDD注入方式下,Iboff和Isub大幅减小,两种效应均获得改善。在实际流片中,原工艺为垂直注入,改良工艺为大倾角注入。大倾角注入时的Iboff-Isub趋势如图5所示。可以看出,相比于无倾角注入方式,大倾角注入方式(即改良工艺)的Iboff-Isub趋势向原点方向漂移。
在实际流片中,原工艺为垂直注入,改良工艺为大倾角注入。大倾角注入时的Iboff-Isub趋势如图5所示。可以看出,相比于无倾角注入方式,大倾角注入方式(即改良工艺)的Iboff-Isub趋势向原点方向漂移。图5 大倾角注入时的Iboff -Isub趋势
【参考文献】：
博士论文
[1]新型MOSFET器件结构设计、建模及特性模拟[D]. 郑长勇.安徽大学 2015
本文编号：3064825
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